GD450HFY120C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

680

450

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

900

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

2173

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

450

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

900

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 11.3mA,V CE =V GE ,T ჯ =25o C

5.2

5.8

6.4

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

46.6

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.31

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

3.50

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ G= 1.3Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

203

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

64

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

491

n

t f

Შემოდგომის დრო

79

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

16.1

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

38.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ G= 1.3Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

235

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

581

n

t f

Შემოდგომის დრო

109

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

27.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

55.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ G= 1.3Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

235

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

621

n

t f

Შემოდგომის დრო

119

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

30.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

61.5

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.65

2.10

V

IF =450A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.65

IF =450A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T ჯ =25o C

46

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

428

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

25.2

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T ჯ = 125o C

87

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

523

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

46.1

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=6600A/μs,V GE =- 15V, T ჯ = 150o C

100

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

546

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

52.3

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.069

0.108

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.030 0.046 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g