Შემოკლებული წარმოდგენა
Შედუღების დიოდი მოდული ,Წთ DC55,55A ,Ჰაერის გაგრილება ,ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM |
Ტიპი და კონტური |
|
600V
800V
1000 ვოლტი
1200 ვოლტი
1400V
1600V
1800V
|
MDC 55-06-229H3
MDC 55-08-229H3
MDC 55-10-229H3
MDC 55-12-229H3
MDC 55-14-229H3
MDC 55-16-229H3
MDC 55-18-229H3
|
Მახასიათებლები ：
-
Იზოლირებული დამონტაჟება ბას e 3000V~
-
Სოლდერი ერთობლივი ტექნოლოგია თან გაზრდილი ენერგიის ციკლირება უნარი
-
Სივრცე და წონა sa აქვს
Ტიპიური გამოყენებები ：
- Სხვადასხვა რექტიფიკატორები
- DC კვება PWM ინვერტორისთვის
|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებელი
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj( ℃) |
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
IF(AV) |
Საშუალო წინასწარი დენი |
180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz
Ერთ მხარეს გაგრილებული, TC=100 ℃
|
150 |
|
|
55 |
A |
IF(RMS) |
RMS წინასწარი დენი |
150 |
|
|
86 |
A |
IRRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vRRM-ზე |
150 |
|
|
8 |
mA |
IFSM |
Სალტო წინასწარი დენი |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM |
150
|
|
|
1.8 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
16.2 |
103A2წმ |
VFO |
Საფეხური ძაბვა |
|
150
|
|
|
0.80 |
V |
rF |
Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
3.74 |
მΩ |
VFM |
Პიკური წინასწარი ძაბვა |
IFM= 170A |
25 |
|
|
1.40 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.70 |
℃ /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.20 |
℃ /W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz, R.M.S,t=1წმ, Iiso:1mA(მაქსიმუმი) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M5) |
|
|
2.5 |
|
4.0 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
150 |
℃ |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Წონა |
|
|
|
100 |
|
გ |
Კონტური |
224H3 |
EN
