|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებლები
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj(°C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
|
IT(AV)
|
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180。ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება |
TC=70 °C
|
115
|
|
|
1500
|
Ა
|
Ირმ ირმ |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე tp= 10ms VRRM-ზე tp= 10ms |
115 |
|
|
600 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM |
115
|
|
|
17 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
1445 |
103A2s |
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
115
|
|
|
1.35 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.53 |
mΩ |
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM= 1500A, F=70kN |
25 |
|
|
2.00 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=0.67VDRM |
115 |
|
|
2000 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=67%VDRM,
Კარიბჭის პულსი tr ≤0.5μs IGM= 1.5A
|
115 |
|
|
200 |
A/μS |
Კრრ |
Აღდგენის გადასახადი |
ITM=2000A, tp=4000μs, di/dt=-5A/μs, VR=50V |
115 |
|
5000 |
|
μC |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
40 |
|
300 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
25 |
|
200 |
mA |
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
115 |
|
|
0.3 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ორმაგი მხარის გაგრილება |
|
|
|
0.009 |
。C /W
|
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
|
|
|
0.002 |
FM |
Მონტაჟის ძალა |
|
|
63 |
70 |
84 |
kN |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
115 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
140 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
1920 |
|
g |
Კონტური |
KT78dT |
EN
