200A,600V~1800V,229H3
Პრეპარატის ბროშურა:Გადმოწერეთ
Მოკლე შესავალი
Შედუღების დიოდი მოდული ,M D C 200,200 A, Ჰაერის გაგრილება ,ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM |
Ტიპი და კონტური |
|
600V 800V 1000 ვოლტი 1200 ვოლტი 1400V 1600V 1800V |
MDC200-06-229H3 MDC200-08-229H3 MDC200-10-229H3 MDC200-12-229H3 MDC200-14-229H3 MDC200-16-229H3 MDC200-18-229H3 |
Მახასიათებლები ：
Ტიპიური გამოყენებები ：
|
Სიმბოლო |
Მახასიათებლები |
Გამოცდის პირობები |
Tj( °C ) |
Ღირებულება |
Ერთეული |
||
Მნ |
Ტიპი |
Მაქს |
|||||
IF(AV) |
Საშუალო წინასწარი დენი |
180° ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz Ერთ მხარეს გაგრილებული, TC=100 °C |
150 |
|
|
200 |
Ა |
IF(RMS) |
RMS წინასწარი დენი |
|
|
314 |
Ა |
||
IRRM |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vRRM-ზე |
150 |
|
|
12 |
mA |
IFSM |
Სალტო წინასწარი დენი |
10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM |
150 |
|
|
4 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
92.5 |
103Ა 2s |
||
VFO |
Საფეხური ძაბვა |
|
150 |
|
|
0.78 |
V |
rF |
Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
1.10 |
mΩ |
||
VFM |
Პიკური წინასწარი ძაბვა |
IFM=600A |
25 |
|
|
1.60 |
V |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთპიროვნულად გაგრილებული ჩიპი |
|
|
|
0.18 |
°C /W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთპიროვნულად გაგრილებული ჩიპი |
|
|
|
0.08 |
°C /W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz, R.M.S, t= 1min, Iiso: 1mA(მაქსიმუმი) |
|
3000 |
|
|
V |
FM |
Ტერმინალის შეერთების ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
|
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
150 |
°C |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
Wt |
Წონა |
|
|
|
165 |
|
g |
Კონტური |
229H3 |
||||||
Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.
EN
