H50KSR, ორმხრივი მართვის თირისტორი

IT(AV)

350A

VDRM, VRRM

5600V 6000V

6500V

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( °C )

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსოიდური ტალღა 50Hz ორმხრივი გაგრილება

TC=70 。C

125

350

Ა

IT ((RMS) F

RMS დენი (სიუს ტალღა)

Სინუსური ტალღა 50 ჰერცტი

Ორმხრივი გაგრილება

770

Ა

VDRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

125

5600

6500

V

IDRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე

125

200

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

125

4.5

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

101

103A2s

VTO

Საფეხური ძაბვა

125

1.25

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

2.20

mΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM=1000A, F=24kN

25

3.50

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=0.67VDRM

125

200

V/µs

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM= 67% VDRM

Გეითის პულსი tr ≤0.5μs IGM=1.5A განმეორებითი

125

100

A/µs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA=12V, IA=1A

25

40

350

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.5

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

20

400

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

500

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ორმხრივი გაგრილება კლამპირების ძალა 24kN

0.045

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.008

FM

Მონტაჟის ძალა

19

26

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

125

。C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

140

。C

Wt

Წონა

440

g

Კონტური

KS50dT