MD600-A, დიოდი მოდულები

VRSM

VRRM

Ტიპი და კონტური

900V

800V

MDx600-08-417F2

1100V

1000 ვოლტი

MDx600-10-417F2

1300V

1200 ვოლტი

MDx600-12-417F2

1500V

1400V

MDx600-14-417F2

1700V

1600V

MDx600-16-417F2

1900V

1800V

MDx600-18-417F2

Სიმბოლო

Მახასიათებელი

Გამოცდის პირობები

Tj( ℃)

Ღირებულება

Ერთეული

Წუთი

Ტიპი

Მაქს.

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180°ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz ერთმხრივი გაგრილება, TC=100 ℃

150

600

A

IF (RMS)

RMS წინასწარი დენი

150

942

A

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

150

30

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0.6VRRM

150

19.0

kA

I²t

I²დრო ფუზირების კოორდინაციისთვის

1805

A²s*10 ³

VFO

Საფეხური ძაბვა

150

0.75

V

rF

Წინასწარი დახრის წინააღმდეგობა

0.35

მΩ

VFM

Პიკური წინასწარი ძაბვა

IFM=1500A

25

1.35

V

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

180-ზე °სინუსი ^,Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.065

℃/W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

180-ზე °სინუსი ^,Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.024

℃/W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t=1წთ,Iiso:1mA(მაქსიმუმ)

3000

V

FM

Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M10)

12.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

6.0

N·მ

T vj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

150

℃

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

℃

Wt

Წონა

775

g

Კონტური

417F2