GD800HFX120C6HA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=100o C

800

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1600

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

5172

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

800

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1600

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.95

2.40

V

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.30

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.40

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=24.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.74

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15...+15 ვოლტი

4.66

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, Რ G=1.0Ω, V GE =±15 ვოლტი, LᲡ =40nH ,T ჯ =25o C

266

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

98

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

394

n

t f

Შემოდგომის დრო

201

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

108

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

73.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, Რ G=1.0Ω, V GE =±15 ვოლტი, LᲡ =40nH ,T ჯ =125o C

280

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

115

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

435

n

t f

Შემოდგომის დრო

275

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

153

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

91.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=800A, Რ G=1.0Ω, V GE =±15 ვოლტი, LᲡ =40nH ,T ჯ =150o C

282

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

117

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

446

n

t f

Შემოდგომის დრო

290

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

165

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

94.4

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =800A,V GE =0V,T ჯ =25o C

2.00

2.45

V

IF =800A,V GE =0V,T ჯ =125o C

2.15

IF =800A,V GE =0V,T ჯ =150o C

2.20

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE =-15V, LᲡ =40nH ,T ჯ =25o C

48.1

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

264

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.0

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE =-15V, LᲡ =40nH ,T ჯ =125o C

95.3

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

291

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

35.3

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE =-15V, LᲡ =40nH ,T ჯ =150o C

107

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

293

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

38.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.029 0.050

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028 0.049 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g