GD800HFX120C6HA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =100 o C

800

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1600

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

5172

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

800

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1600

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.95

2.40

V

I C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

2.30

I C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.40

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =24.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

62.1

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.74

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.66

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, R G =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =40 nH ,T ჯ =25 o C

266

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

98

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

394

n

t f

Შემოდგომის დრო

201

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

108

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

73.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, R G =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =40 nH ,T ჯ =125 o C

280

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

115

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

435

n

t f

Შემოდგომის დრო

275

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

153

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

91.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, R G =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =40 nH ,T ჯ =150 o C

282

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

117

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

446

n

t f

Შემოდგომის დრო

290

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

165

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

94.4

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

2.00

2.45

V

I F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 25o C

2.15

I F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =1 50o C

2.20

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =40 nH ,T ჯ =25 o C

48.1

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

264

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.0

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =40 nH ,T ჯ =125 o C

95.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

291

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

35.3

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, L S =40 nH ,T ჯ =150 o C

107

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

293

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

38.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა of R 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.029 0.050

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028 0.049 0.009

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

350

g