GD800HFX120C6HA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =100o C

800

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1600

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

5172

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

800

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1600

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.95

2.40

V

Ის C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.30

Ის C =800A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.40

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =24.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

62.1

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.74

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

4.66

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, Რ G =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ლ Ს =40nH ,T ჯ =25o C

266

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

98

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

394

n

t f

Შემოდგომის დრო

201

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

108

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

73.8

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, Რ G =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ლ Ს =40nH ,T ჯ =125o C

280

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

115

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

435

n

t f

Შემოდგომის დრო

275

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

153

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

91.3

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =800A, Რ G =1.0Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ლ Ს =40nH ,T ჯ =150o C

282

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

117

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

446

n

t f

Შემოდგომის დრო

290

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

165

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

94.4

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2400

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

2.00

2.45

V

Ის F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

2.15

Ის F =800A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

2.20

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, Ლ Ს =40nH ,T ჯ =25o C

48.1

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

264

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

18.0

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, Ლ Ს =40nH ,T ჯ =125o C

95.3

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

291

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

35.3

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, Ლ Ს =40nH ,T ჯ =150o C

107

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

293

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

38.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C =100 o C ,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Გადასასვლელი -და -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.029 0.050

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.028 0.049 0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g