GD400HFX120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C

@ ტ C =90o C

595

400

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p = 1ms

800

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1875

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

400

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

800

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =400A,V Გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =25o C

1.75

2.20

V

Ის C =400A,V Გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =125o C

2.00

Ის C =400A,V Გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =150o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C = 10.0mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

37.3

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.04

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

2.80

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, Რ G =2.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

205

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

597

n

t f

Შემოდგომის დრო

98

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

18.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

32.3

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, Რ G =2.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

214

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

86

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

626

n

t f

Შემოდგომის დრო

137

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

28.4

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

48.9

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, Რ G =2.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

198

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

94

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

646

n

t f

Შემოდგომის დრო

147

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

30.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

53.8

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები = 15V,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1440

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Ის F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.75

2.15

V

Ის F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.65

Ის F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

40

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

299

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.0

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ = 125o C

70

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

399

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

38.4

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ = 150o C

80

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

419

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

43.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.25

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.080

0.095

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.037

0.044

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g