GD400HFX120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C =90 o C

595

400

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

800

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175 o C

1875

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

400

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =25 o C

1.75

2.20

V

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =125 o C

2.00

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები = 15V, T ჯ =150 o C

2.05

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C = 10.0mA,V CE =V Გენერალური საწარმოები , ტ ჯ =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.5

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

37.3

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.04

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

2.80

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

205

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

77

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

597

n

t f

Შემოდგომის დრო

98

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

18.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

32.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

214

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

86

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

626

n

t f

Შემოდგომის დრო

137

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

28.4

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

48.9

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

198

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

94

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

646

n

t f

Შემოდგომის დრო

147

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

30.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

53.8

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები = 15V,

T ჯ =150 o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1440

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.75

2.15

V

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.65

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C

40

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

299

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.0

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125o C

70

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

399

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

38.4

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5000A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150o C

80

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

419

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

43.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

R CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.25

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.080

0.095

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.037

0.044

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g