GD450HFY120C2S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

680

450

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

900

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175o C

2173

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

450

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

900

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.05

V

Მე C=450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

Მე C=450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=11.3mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები ,T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

46.6

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.31

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

3.50

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ Გ = 1,5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

328

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

76

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

539

n

t f

Შემოდგომის დრო

108

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

19.5

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

46.6

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ Გ = 1,5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C

376

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

86

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

595

n

t f

Შემოდგომის დრო

214

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

36.3

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

53.5

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ Გ = 1,5Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C

380

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

89

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

608

n

t f

Შემოდგომის დრო

232

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

41.7

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

55.5

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Მე F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.65

2.10

V

Მე F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.65

Მე F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.65

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V, T ჯ =25o C

29.4

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

275

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.2

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V, T ჯ =125o C

68.8

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

342

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

31.6

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =600 ვოლტი,I F =450A,

-di/dt=4370A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V, T ჯ =150o C

79.6

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

354

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

35.8

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს

0.35

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.069

0.108

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.033

0.051

0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ