GD200MLY120C2S,3-დონიანი,IGBT Module,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C

@ ტ C = 100o C

337

200

Ა

Ის CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

400

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1162

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

Ა

Ის FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

Ის C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =5.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

4.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

20.7

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.58

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

1.55

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

150

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

330

n

t f

Შემოდგომის დრო

93

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

11.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.3

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

412

n

t f

Შემოდგომის დრო

165

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

19.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

17.0

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, Რ G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

433

n

t f

Შემოდგომის დრო

185

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

21.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

19.1

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

800

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.65

2.10

V

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.65

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

17.6

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

228

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.7

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C

31.8

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

238

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.8

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =150o C

36.6

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

247

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.65

2.10

V

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.65

Ის F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

17.6

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

228

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.7

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =125o C

31.8

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

238

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.8

mJ

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =150o C

36.6

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

247

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Კავშირი-კერძო (თითოეული T 1-T4 IGBT)

Კავშირი-კერძო (თითოეული D1-D4 დიოდისთვის) ოდი)

Კავშირი-კერძო (თითოეული D5,D6 დიოდისთვის) de)

0.129

0.237

0.232

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო T1-T4 IGBT)

Კერძო-გამყოფი (თითოეული D1-D4) Დიოდი)

Ქეის-განთბობი (D5,D6 მიხედვით) Დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.073

0.134

0.131

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

G

Წონა შემდეგი Მოდული

340

g