GD450HFX120C2SA,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

704

450

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

900

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

2307

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

900

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.70

2.15

V

Მე C=450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

1.95

Მე C=450A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=18.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

46.6

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.31

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

3.50

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ Გ =1.5Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =45nH ,T vj =25o C

284

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

78

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

388

n

t f

Შემოდგომის დრო

200

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

45.0

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

33.4

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ Გ =1.5Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =45nH ,T vj =125o C

288

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

86

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

456

n

t f

Შემოდგომის დრო

305

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

60.1

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

48.4

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=450A, Რ Გ =1.5Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =45nH ,T vj =150o C

291

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

88

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

472

n

t f

Შემოდგომის დრო

381

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

63.5

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

52.1

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

1800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.90

2.35

V

Მე F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

2.00

Მე F =450A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

2.05

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =450A,

-დი/მუს=4500ა/μს,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LS =45nH ,T vj =25o C

39.4

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

296

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.8

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =450A,

-დი/მუს=4100ა/μს,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LS =45nH ,T vj =125o C

58.6

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

309

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

17.7

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =450A,

-დი/მუს=4000ა/μს,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LS =45nH ,T vj =150o C

83.6

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

330

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

20.3

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.35

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.065 0.119

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031 0.057 0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ