Ყველა კატეგორია
Გამოიძახეთ შეფასება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

IGBT მოდული 1200V

IGBT მოდული 1200V

Მთავარი გვერდი/Პროდუქტები/IGBT მოდული/IGBT მოდული 1200V

GD900SGU120C3SN,IGBT მოდული,STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGU120C3SN
  • Შესავალება
  • Კონტური
Შესავალება

Მოკლე გაცნობარება

IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1200V 900A.

Მახასიათებლები

  • NPT IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs მოკლე მიერთების კაპაბ უბედურება
  • Დაბალი გადასვლის დანაკარგი
  • Ულტრასწრაფი შესრულებით გამძლე თეატრალური
  • V CE (მჯდომარე ) თან დადებითი температура კოეფიციენტი
  • Სწრაფი და რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი-пარალელური FWD
  • Იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით

Ტიპური Გამოყენების სფეროები

  • Გამორთვის რეჟიმის ენერგიის წყარო
  • Ინდუქციური გათბობა
  • Ელექტრონული შედუღებელი

Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C=80o C

1350

900

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1800

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =150o C

7.40

კვ

Დიოდი

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

900

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1800

A

Მოდული

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

IGBT Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

2.90

3.35

V

IC=800A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

3.60

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 16.0mA,V CE =V GE , ტ ჯ =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

53.1

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

3.40

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

8.56

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=800A, Რ G= 1.3Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

90

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

81

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

500

n

t f

Შემოდგომის დრო

55

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

36.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

41.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=800A, Რ G= 1.3Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

115

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

92

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

550

n

t f

Შემოდგომის დრო

66

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

52.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

59.4

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =125o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

5200

A

Დიოდი Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =800A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.95

2.40

V

IF =800A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

56

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

550

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

38.7

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

148

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

920

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

91.8

mJ

Მოდული Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

12

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.19

mΩ

Რ θ Ჟ.კ.

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

16.9

26.2

K/kW

Რ θ CS

Კასე-დან-სინკ (IGBT-ის მიხედვით)

Კოლოფიდან მდინარეს (დიოდების მიხედვით)

19.7

30.6

K/kW

Რ θ CS

Კასე-დან-სანკამდე

6.0

K/kW

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალის კავშირი Ტორქი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

1500

g

Კონტური

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Გამოიძახეთ შეფასება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000