GD450HFX170C6S,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

706

450

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

900

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175o C

2542

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

450

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

900

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 18.0mA,V CE =V GE , ტ ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.67

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

54.2

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

1.32

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

4.24

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=450A, Რ G=3.3Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

179

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

105

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

680

n

t f

Შემოდგომის დრო

375

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

116

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

113

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=450A, Რ G=3.3Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

208

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

784

n

t f

Შემოდგომის დრო

613

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

152

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

171

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=450A, Რ G=3.3Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

208

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

800

n

t f

Შემოდგომის დრო

720

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

167

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

179

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V

1800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

IF =450A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.95

IF =450A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.90

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C

105

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

198

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

69.0

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T ჯ = 125o C

187

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

578

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

129

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =450A,

-di/dt=4580A/μs,V GE =- 15V T ჯ = 150o C

209

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

585

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

150

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

1.10

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.059

0.083

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.031

0.043

0.009

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

350

g