GD150HFX170C1S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C @ ტ C =95o C

229

150

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

300

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

815

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

150

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

300

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =150A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.30

V

I C =150A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

I C =150A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =6.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

5.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

18.1

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.44

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =70nH , T ჯ =25o C

303

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

75

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

417

n

t f

Შემოდგომის დრო

352

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

42.3

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

25.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =70nH ,T ჯ =125o C

323

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

88

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

479

n

t f

Შემოდგომის დრო

509

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

58.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

34.9

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =150A, R G =3.3Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, L S =70nH ,T ჯ =150o C

327

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

90

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

498

n

t f

Შემოდგომის დრო

608

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

65.6

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

40.2

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

600

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =150A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.80

2.25

V

I F =150A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =125o C

1.90

I F =150A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =150o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1510A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L S =70nH , T ჯ =25o C

26.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

131

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

21.6

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1280A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L S =70nH, T ჯ =125o C

48.0

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

140

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

40.1

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1240A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი L S =70nH, T ჯ =150o C

52.3

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

142

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

42.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

30

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.65

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.184 0.368

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.150 0.300 0.050

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

150

g