GD1200HFX170C3S,IGBT მოდული,High current igbt მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

2400

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

6.55

კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

1200

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

2400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Მე C=1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.25

Მე C=1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=48.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.6

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

142

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

3.57

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ Გონ = 1,5Ω, Რ Გოფ =3.3Ω, V Გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

LᲬმ =110nH,T vj =25o C

700

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

420

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1620

n

t f

Შემოდგომის დრო

231

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

616

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

419

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ Გონ = 1,5Ω, Რ Გოფ =3.3Ω, V Გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

LᲬმ =110nH,T vj =125o C

869

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

495

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1976

n

t f

Შემოდგომის დრო

298

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

898

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

530

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ Გონ = 1,5Ω, Რ Გოფ =3.3Ω, V Გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

LᲬმ =110nH,T vj =150o C

941

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

508

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

2128

n

t f

Შემოდგომის დრო

321

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

981

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

557

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150o C,V CC =1000 ვოლტი,

V CEM ≤1700V

4800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

Მე F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125o C

1.90

Მე F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-10V, LᲬმ =110nH,T vj =25o C

217

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

490

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

108

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =1200A,

-დი/დტ=2070A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-10V, LᲬმ =110nH,T vj =125o C

359

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

550

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

165

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =900V,I F =1200A,

-დი/დტ=1970A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-10V, LᲬმ =110nH,T vj =150o C

423

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

570

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

200

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.37

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

22.9 44.2

K/kW

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

18.2 35.2 6.0

K/kW

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

1500

გ