GD1200HFX170C3S,IGBT მოდული,High current igbt მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1965

1200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

2400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175 o C

6.55

კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

1200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C =1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

2.25

I C =1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150 o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =48.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.6

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

142

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

3.57

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

11.8

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, R Გონ = 1,5Ω, R Გოფ =3.3Ω, V Გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =25 o C

700

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

420

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1620

n

t f

Შემოდგომის დრო

231

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

616

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

419

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, R Გონ = 1,5Ω, R Გოფ =3.3Ω, V Გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =125 o C

869

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

495

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1976

n

t f

Შემოდგომის დრო

298

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

898

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

530

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C =1200A, R Გონ = 1,5Ω, R Გოფ =3.3Ω, V Გენერალური საწარმოები =-10/+15V,

L S =110nH,T vj =150 o C

941

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

508

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

2128

n

t f

Შემოდგომის დრო

321

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

981

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

557

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =150 o C ,V CC =1000 ვოლტი,

V CEM ≤1700V

4800

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25 o C

1.80

2.25

V

I F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

I F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =1200A,

-di/dt=2430A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-10V, L S =110nH,T vj =25 o C

217

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

490

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

108

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =1200A,

-დი/დტ=2070A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-10V, L S =110nH,T vj =125 o C

359

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

550

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

165

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =900V,I F =1200A,

-დი/დტ=1970A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-10V, L S =110nH,T vj =150 o C

423

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

570

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

200

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.37

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

22.9 44.2

K/kW

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

18.2 35.2 6.0

K/kW

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m

G

Წონა of Მოდული

1500

g