GD400HFF120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C=90o C

620

400

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175o C

2272

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

400

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.90

2.35

V

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

2.40

IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.55

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 10.0mA,V CE =V GE , ტ ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

100

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.9

ω

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=0.38Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1496

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

200

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1304

n

t f

Შემოდგომის დრო

816

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

27.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

20.8

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=0.38Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

1676

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

252

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1532

n

t f

Შემოდგომის დრო

872

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

41.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

23.6

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=400A, Რ G=0.38Ω,

V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

1676

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

260

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1552

n

t f

Შემოდგომის დრო

888

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

46.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

24.0

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =400A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.90

2.35

V

IF =400A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.90

IF =400A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.90

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C

20.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

180

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.8

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T ჯ = 125o C

52.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

264

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

19.5

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=6400A/μs,V GE =- 15V T ჯ = 150o C

60.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

284

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

22.6

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.25

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.066

0.093

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.034

0.048

0.010

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g