Y50ZKA,მაღალი სიხშირის შედუღების დიოდი

I T(AV)

1260Ა

V DRM v RRM

1200V 1400V

tq

12~28μs

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj( 。C)

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IF(AV)

Საშუალო წინასწარი დენი

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

Ორმხრივი გაგრილება, TC=85 。C

175

5000

Ა

VRRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

tp=10ms

175

200

400

V

IRRM

Განმეორებითი პიკური დენი

vRRM-ზე

175

50

mA

IFSM

Სალტო წინასწარი დენი

10ms ნახევარი სინუსური ტალღა VR=0VRRM

175

45

kA

I2t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

10000

A2s*103

VFO

Საფეხური ძაბვა

IFM=5000~15000A

IFM=5000A,F=30kN

175

0.80

V

rF

Წინასწარი სლოპის წინააღმდეგობა

0.040

მΩ

VFM

Მაქსიმალური პიკი აქტიური ძაბვა

25

1.05

V

trr

Უკუღმართი აღდგენის დრო

IFM=2000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

175

4

µs

Კრრ

Აღდგენის გადასახადი

175

200

µC

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

1800 საინის დროს, ორმხრივი გაგრილება, ჩაჭიდების ძალა 30.0kN

0.010

。C /W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამათბობელზე

0.005

FM

Მონტაჟის ძალა

20

30

40

kN

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

175

。C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

175

。C

Wt

Წონა

150

g

Კონტური

ZT44T