IGBT მოდული GD950HTX75P6HB Starpower

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ი CN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

950

Ა

Ი C

Კოლექტორის დენი @ T F =90o C

450

Ა

Ი Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

1900

Ა

PᲓ

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75o C T ჯ =175o C

877

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

750

V

Ი FN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

950

Ა

Ი F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

Ა

Ი FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

1900

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10 წამით პერიოდში 30 წამით, გამოჩენა მაქსიმალურად 3000-ჯერ გავლენა ცხოვრების განმავლობაში

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ი C=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.25

1.50

V

Ი C=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

1.35

Ი C=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =175o C

1.40

Ი C=950A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.60

Ი C=950A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =175o C

2.05

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ი C=9.60mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.0

5.7

7.0

V

Ი C=9.60mA ,V CE =V GE , T ჯ =175o C

3.5

Ი CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

Ი Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

42.1

nF

Coes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.80

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.18

nF

QᲒ

Კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =450A, V GE =-8...+15 ვოლტი

3.01

μC

t დ (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=450A, Რ Გ =2.4Ω, LᲬამი =24nH V GE =-8V/+15V,

T ჯ =25o C

126

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

62

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

639

n

t f

Შემოდგომის დრო

149

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.3

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

25.4

mJ

t დ (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=450A, Რ Გ =2.4Ω, LᲬამი =24nH V GE =-8V/+15V,

T ჯ =150o C

136

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

715

n

t f

Შემოდგომის დრო

221

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

22.5

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

31.0

mJ

t დ (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=450A, Რ Გ =2.4Ω, LᲬამი =24nH V GE =-8V/+15V,

T ჯ =175o C

138

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

739

n

t f

Შემოდგომის დრო

227

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

24.8

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

32.6

mJ

Ი SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤6μs,V GE =15 ვოლტი,

5100

Ა

T ჯ =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

t P≤3μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =175o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

3800

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ი F =450A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.40

1.65

V

Ი F =450A,V GE =0V,T ჯ =150o C

1.35

Ი F =450A,V GE =0V,T ჯ =175o C

1.30

Ი F =950A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.75

Ი F =950A,V GE =0V,T ჯ =175o C

1.75

Qრ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =450A,

-di/dt=7070A/μs,V GE =-8 ვოლტი LᲬამი =24nH ,T ჯ =25o C

16.0

μC

Ი RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

254

Ა

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

5.03

mJ

Qრ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =450A,

-di/dt=6150A/μs,V GE =-8 ვოლტი LᲬამი =24nH ,T ჯ =150o C

36.0

μC

Ი RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

320

Ა

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.49

mJ

Qრ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =450A,

-di/dt=6010A/μs,V GE =-8 ვოლტი LᲬამი =24nH ,T ჯ =175o C

40.5

μC

Ი RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

338

Ა

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

10.5

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2— 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2— 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2— 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.75

mΩ

△p

△V/ △t=10.0 dm 3/წუთი ,T F =75o C

64

მბარი

p

Მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40o C

T საყრდენი პლატა 40o C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

სველი

Რ თი-ი-ფ

Გადასასვლელი —-მდე —Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △V/ △t=10.0 dm 3/წუთი ,T F =75o C

0.098 0.140

0.114 0.160

Კვ/ვ

Წუთი

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

750

გ