IGBT მოდული GD820HTX75P6H Starpower

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

750

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

ICN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

820

A

IC

Კოლექტორის დენი @ T F =60o C

450

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1640

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის გადაცემა ატიონ @ T F =75o C T ჯ =175o C

752

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ვოლტა gE

750

V

IFN

Განხორციელებული კოლექტორი Cu ბინა

820

A

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

450

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1640

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის გადასასვლელი ტემპერატურა მუდმივი

10 წამით პერიოდში 30 წამით, გამოჩენა მაქსიმალურად 3000-ჯერ გავლენა ცხოვრების განმავლობაში

-40-დან +150-მდე +150-დან +175-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.35

1.60

V

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

1.60

IC=450A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =175o C

1.65

IC=820A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

IC=820A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =175o C

2.20

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=9.60mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

4.9

5.8

6.5

V

IC=9.60mA ,V CE =V GE , Tj=175 o C

4.1

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

0.7

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =50V,f=100kHz, V GE =0V

69.1

nF

Coes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

2.31

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.05

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V CE =400V, I C =450A, V GE =-8...+15 ვოლტი

3.29

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=450A, Რ G=2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, LᲡ =24nH,

T ჯ =25o C

191

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

83

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

543

n

t f

Შემოდგომის დრო

158

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

16.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

20.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=450A, Რ G=2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, LᲡ =24nH,

T ჯ =150o C

207

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

96

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

594

n

t f

Შემოდგომის დრო

190

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

22.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

24.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C=450A, Რ G=2.4Ω,

V GE =-8V/+15V, LᲡ =24nH,

T ჯ =175o C

208

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

103

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

613

n

t f

Შემოდგომის დრო

190

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

26.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

26.9

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 6μs, V GE =15 ვოლტი,

4800

A

T ჯ =25o C,V CC =400V, V CEM ≤750V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.40

1.65

V

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =150o C

1.35

IF =450A,V GE =0V,T ჯ =175o C

1.30

IF =820A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.70

IF =820A,V GE =0V,T ჯ =175o C

1.65

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =450A,

-di/dt=5520A/μs,V GE =-8 ვოლტი LᲡ =24nH ,T ჯ =25o C

16.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

222

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

4.50

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =450A,

-di⁄dt=4810A⁄μs,V GE =-8 ვოლტი LᲡ =24nH ,T ჯ =150o C

32.2

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

283

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

8.19

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =450A,

-di⁄dt=4630A⁄μs,V GE =-8 ვოლტი LᲡ =24nH ,T ჯ =175o C

36.3

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

292

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.03

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

∆R/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C=100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2- 1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2- 1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2- 1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

8

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.75

mΩ

△პ

△V/ △t=10.0 dm 3/წუთი ,T F =75o C

64

მბარი

პ

Მაქსიმალური წნევა გაგრილების ცირკულაციაში კუტი

T საყრდენი პლატა <40o C

T საყრდენი პლატა 40o C

(აბსოლუტური წნევა)

2.5 2.0

სველი

Რ თი-ი-ფ

Გადასასვლელი --დან -Გაგრილება Სითხე (perIGBT )Ჯუნქცია-კooling სითხეზე (D-ის მიხედვით იოდი) △V/ △t=10.0 dm 3/წუთი ,T F =75o C

0.116 0.175

0.133 0.200

Კვ/ვ

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M5 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მ4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

750

g