Ყველა კატეგორია
Გამოიძახეთ შეფასება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

IGBT მოდული 1700V

IGBT მოდული 1700V

Მთავარი გვერდი/Პროდუქტები/IGBT მოდული/IGBT მოდული 1700V

GD1200SGX170A3S, 1700 ვოლტი, 1200 ამპერი, IGBT მოდული,

Მაღალი დენის IGBT მოდული, STARPOWER, A3

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD1200SGX170A3S
  • Შესავალება
  • Კონტური
  • Ექვივალენტური სქემა
Შესავალება

Მოკლე გაცნობარება

IGBT მოდული ,შექმნილია STARPOWER-ზე. 1 700V 1200A,A3 .

Მახასიათებლები

  • Დაბალი VCE (sat) Trench IGBT ტექნოლოგია
  • 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
  • VCE ((sat) დადებითი ტემპერატურის კოეფიციენტით
  • Მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
  • Დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
  • Სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
  • AlSiC ბაზა მაღალი სიმძლავრის ციკლური შესაძლებლობისთვის
  • AlN საფუძველი დაბალ თერმომექანიკური რეზისტანციისთვის cE

Ტიპიური გამოყენებები

  • Ცვალებად ინვერტორზე მომუშავე დრაივები
  • Გადამრთველი რეჟიმის ელექტრომომარაგება
  • Ელექტრონული შედუღების აპარატები

Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

IGBT

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

2400

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

8.77

Კვ

Დიოდი

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

1200

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

2400

A

Მოდული

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

IGBT Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=1200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

IC=1200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

IC=1200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=48.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.0

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

145

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

3.51

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LᲡ =65nH ,T ჯ =25o C

440

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

112

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1200

n

t f

Შემოდგომის დრო

317

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

271

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

295

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LᲡ =65nH ,T ჯ =125o C

542

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

153

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1657

n

t f

Შემოდგომის დრო

385

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

513

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

347

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ G=1.0Ω,

V GE =-9/+15V,

LᲡ =65nH ,T ჯ =150o C

547

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

165

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1695

n

t f

Შემოდგომის დრო

407

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

573

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

389

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

4800

A

Დიოდი Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =1200A,V GE =0V, t ჯ =25℃

1.80

2.25

V

IF =1200A,V GE =0V, t ჯ =125℃

1.90

IF =1200A,V GE =0V, t ჯ =150℃

1.95

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, LᲡ =65nH,T ჯ =25℃

190

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

844

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

192

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, LᲡ =65nH,T ჯ =125℃

327

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1094

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

263

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, LᲡ =65nH,T ჯ =150℃

368

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1111

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

275

mJ

Მოდული Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

12

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.19

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

17.1 26.2

K/kW

Რ thCH

Შემთხვევა --დან -Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

9.9 15.2 6.0

K/kW

Მ

Ელექტროენერგიის ტერმინალი Შრიფტი:M4 Ელექტროენერგიის ტერმინალი Ბოლტი:M8 Დამონტაჟების შრიფტი:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

1050

g

Კონტური

Ექვივალენტური სქემა

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Დაკავშირებული პროდუქტი

Პროდუქტებთან დაკავშირებით კითხვები გაქვთ?

Ნაჟ პჲფეჲნალთკ ნა ოჲეჲბპარა ჟლვეა ჱა ოჲბვჟრთნარა გთ.
Თქვენ შეგიძლიათ მიჰყვეთ მათ პროდუქტის სიას და დასვათ ნებისმიერი კითხვა, რაც გაწუხებთ.

Გამოიძახეთ შეფასება

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000

Მიიღეთ უფასო შემოთავაზება

Ჩვენი წარმომადგენელი მალე დაგიკონტაქტებს.
Ელ. ფოსტა
Სახელი
Კომპანიის სახელი
Შეტყობინება
0/1000