GD1200SGX170A3S, 1700 ვოლტი, 1200 ამპერი, IGBT მოდული,

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1700

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

2206

1200

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

2400

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

8.77

Კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1700

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

1200

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

2400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.85

2.20

V

Მე C=1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

2.25

Მე C=1200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.35

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=48.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25o C

5.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

1.0

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

145

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

3.51

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15 ...+15V

11.3

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ Გ =1.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

LᲬმ =65nH ,T ჯ =25o C

440

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

112

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1200

n

t f

Შემოდგომის დრო

317

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

271

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

295

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ Გ =1.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

LᲬმ =65nH ,T ჯ =125o C

542

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

153

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1657

n

t f

Შემოდგომის დრო

385

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

513

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

347

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =900V,I C=1200A, Რ Გ =1.0Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-9/+15V,

LᲬმ =65nH ,T ჯ =150o C

547

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

165

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

1695

n

t f

Შემოდგომის დრო

407

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

573

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

389

mJ

Მე SC

Ს.კ. მონაცემები

t P≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =1000 ვოლტი, V CEM ≤1700V

4800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Მე F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =25℃

1.80

2.25

V

Მე F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =125℃

1.90

Მე F =1200A,V Გენერალური საწარმოები =0V, t ჯ =150℃

1.95

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=10500A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, LᲬმ =65nH,T ჯ =25℃

190

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

844

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

192

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=7050A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, LᲬმ =65nH,T ჯ =125℃

327

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1094

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

263

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V CC =900V,I F =1200A,

-di/dt=6330A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-9V, LᲬმ =65nH,T ჯ =150℃

368

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

1111

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

275

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

12

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ლიდის წინააღმდეგობა, ტერმინალიდან ჩიპამდე

0.19

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი —– —Შემთხვევა (perIGBT ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

17.1 26.2

K/kW

Რ thCH

Შემთხვევა —– —Თბილსასუფთავე (perIGBT )Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

9.9 15.2 6.0

K/kW

Წთ

Ელექტროენერგიის ტერმინალი Შრიფტი:M4 Ელექტროენერგიის ტერმინალი Ბოლტი:M8 Დამონტაჟების შრიფტი:M6

1.8 8.0 4.25

2.1 10.0 5.75

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

1050

გ