■თვისებები
-
Ულტრა დაბალი დანაკარგის თინის IGBT დიე
- Მაღალი მდგრადობის SPT+ დიზაინი
- Დიდი SOA
- Პასივაცია: ნიტრიდი პლიუს პოლიიმიდი
■ Მაქსიმალური Ნომინალური მნიშვნელობები
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
Ღირებულება |
Ერთეული |
მნ |
მაქს |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
V CES |
V Გენერალური საწარმოები = 0 ვ |
|
3300 |
V |
DC კოლექტორის მიმდინარე |
I C |
|
|
63 |
Ა |
Პიკის კოლექტორის მიმდინარე |
I CM |
Შეზღუდულია Tvjmax-ით |
|
125 |
Ა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
|
-20 |
+20 |
V |
IGBT მოკლე ციკლის SOA |
t psc |
V CC = 2500 ვ, ვ CEM ≤ 3300 ვ, V Გენერალური საწარმოები ≤ 15 ვ,T vj ≤ 150 ° C |
|
10 |
μs |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
T vj |
|
-40 |
125 |
°C |
■ IGBT მახასიათებლების მნიშვნელობები
Პარამეტრი |
Სიმბოლო |
Პირობები |
Ღირებულება |
Ერთეული |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Co კოლექტორ-ემიტერის გასაღების ძაბვა |
V(BR)CES |
VGE = 0 V, IC = 1 mA, Tvj = 25 °C |
3300 |
|
|
V |
Კოლექტორ-გამომცემის გაჯერების ძაბვა |
VCE (სატ) |
IC = 63 A, VGE = 15 V |
Tvj = 25 °C |
|
2.45 |
2.95 |
V |
Tvj = 150 °C |
|
3.30 |
3.80 |
V |
Კოლექტორი-Emitter გაწყვეტის მიმდინარე |
ICES |
VCE = 3300 ვ,VGE = 0 ვ |
Tvj = 25 °C |
|
|
100 |
µA |
Tvj = 150 °C |
|
2000 |
|
µA |
Გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე |
IGES |
VCE = 0 ვ,VGE = ±20 ვ, Tvj = 150 °C |
-500 |
|
500 |
nA |
Ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა |
VGE ((თ) |
IC = 10 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 °C |
5.8 |
6.8 |
7.8 |
V |
Კარიბჭის გადასახადი |
Სათაო ოფისი |
IC = 63 ა, VCE = 1800 ვ, VGE = -15 ვ ~ 15 ვ |
|
500 |
|
nc |
Შეყვანის სიმძლავრე |
Კაი |
VCE = 25 V, VGE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C
|
|
6.38 |
|
nF |
Გამოსავალი გამტარუნარიანობა |
Coes |
|
0.5 |
|
nF |
Საპირისპირო გადაცემის სიმძლავრე |
Კრეს |
|
0.13 |
|
nF |
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა |
RGint |
|
|
5 |
|
ω |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
თსს |
VCC = 1800 ვ, IC = 63 ა,
RG = 24 ომი, CGE = 13.75 ნფ, VGE = ±15 ვ,
Ls = 3600 ნჰ, ინდუქციური დატვირთვა
|
Tvj = 25 °C |
|
600 |
|
n |
Tvj = 150 °C |
|
680 |
|
n |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
ტრ |
Tvj = 25 °C |
|
260 |
|
n |
Tvj = 150 °C |
|
300 |
|
n |
Გამორთვის დაგვიანების დრო |
ტდ (((გამოხურული) |
Tvj = 25 °C |
|
1700 |
|
n |
Tvj = 150 °C |
|
1900 |
|
n |
Შემოდგომის დრო |
tf |
Tvj = 25 °C |
|
1000 |
|
n |
Tvj = 150 °C |
|
1500 |
|
n |
Ჩართვის ენერგია |
Ეონ |
VCC = 1800 ვ, IC = 63 ა,
RG = 24 ომი, CGE = 13.75 ნფ, VGE = ±15 ვ,
Ls = 3600 nH, ინდუქციური დატვირთვა,
FWD: ½ DD125F33K2
|
Tvj = 25 °C |
|
67 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
91 |
|
mJ |
Გამორთვის ენერგია |
Ეოფ |
Tvj = 25 °C |
|
88 |
|
mJ |
Tvj = 150 °C |
|
110 |
|
mJ |
Კოროტკი წრის ძრავი |
ISC |
VGE = 15 V, tpsc ≤ 10 µs, VCC = 2500 V, Tvj = 150 °C, VCEM ≤ 3300 V |
|
270 |
|
Ა |
IGBT დიეს კატალოგი
- Მრავალფეროვანი პროდუქტების ასორტიმენტი აკმაყოფილებს მომხმარებლების მოთხოვნებს სხვადასხვა ძაბვის დონის IGBT ჩიპების მიმართ
- Მომხმარებლებს შესაძლებლობა აქვთ აირჩიონ 8-ინჩიანი და 12-ინჩიანი ვეფრები, რაც საშუალებას აძლევს ეფექტურად შეამცირონ ხარჯები
IGBT Ჩიპების კატალოგი
Ნომერი
|
S პ ec |
Ტექნოლოგია |
Ჯგუფი |
Ვოლტი |
C ური |
10 |
4500V |
50A |
EP T -FS |
|
3300V |
62.5A |
EP T -FS |
|
1700V |
75A |
Ტრანშა-FS |
|
100A |
Ტრანშა-FS |
|
150A |
Ტრანშა-FS |
|
200A |
Ტრანშა-FS |
|
1200 ვოლტი |
100A |
Ტრანშა-FS |
|
140A |
Ტრანშა-FS |
|
150A |
Ტრანშა-FS |
|
200A |
Ტრანშა-FS |
|
250A |
Ტრანშა-FS |
|
300A |
Ტრანშა-FS |
|
950V |
100A |
Ტრანშა-FS |
|
200A |
Ტრანშა-FS |
|
750V |
200A |
Ტრანშა-FS |
|
315A |
Ტრანშა-FS |
|
650V |
75A |
Trench-F S |
|
Ავტომატიზირებული მოდერნული ქარხნები
Თანამედროვე ავტომატიზებული ქარხანა უზრუნველყოფს ჩვენი პროდუქტის ყველა სამუშაო მაჩვენებლის პროდუქტები მაღალ სტაბილურობას, რაც პროდუქტის პარამეტრებში არსებული განსხვავებების მინიმუმამდე შემცირებას უზრუნველყოფს. ეს კი არა მარტო ჩვენი პროდუქტის საიმედოობისა და ერთგვაროვნების გარანტიას წარმოადგენს, არამედ მომხმარებლის მოწყობილობების უსაფრთხო და საიმედო ექსპლუატაციის მნიშვნელოვან გარანტიასაც.
Კარგად დაკომპლექტებული ლაბორატორია
Ჩვენ გვაქვს კარგად დაარსებული ლაბორატორია ტესტირებისთვის და მკაცრად ვაკონტროლებთ პროდუქტების ხარისხს. ეს უზრუნველყოფს იმას, რომ ჩვენი მიწოდებული პროდუქტების სრული შესაბამისობის მაჩვენებელი 100%-ს მიაღწევს.
Საკმარისი წარმოების სიმძლავრე
Მწარმოებლის ძლიერი კომპლექსური სიმძლავრე და საკმარისი წარმოების შესაძლებლობა უზრუნველყოფს თითოეული შეკვეთის დროულ მიწოდებას.
Ფართო გამოყენებები
Ჩვენი IGBT დისკები შესაძლოა დააკმაყოფილოს სამრეწველო სფეროებში, როგორიცაა რელსის ტრანსპორტი, ელექტროენერგიის გადაცემა, მზის ელექტროსადგურები, ენერგიის შენახვა, ინდუქციური გათბობის მოწყობილობები, შედუღების მანქანები და ავტომატური მართვის მოწყობილობებისთვის განკუთვნილი IGBT მოდულების წარმოების მოთხოვნები.
Ფართო სამრეწველო გამოყენებამ სრულად დაადასტურა ჩვენი IGBT დისკების ხარისხი და მიიღო მომხმარებლების მაღალი შეფასება და დამტკიცება.
Ჩვენი მომხმარებლები
Ჩვენი მომხმარებლები სხვადასხვა სამრეწველო სექტორს მოიცავს.
Რატომ უნდა შეგვირჩიოთ?
B ბეიჯინგის World E To Technology Co., Ltd. წამყვანი მიმწოდებელია ნახევარგამტარი პროდუქტებისა, როგორიცაა IGBT მოდული, IGBT დისკრეტები, IGBT ჩიფები, ADC/DAC, თირისტორები ჩინეთში, ძირითადად ახორციელებს CRRC-ის, Starpower-ის, Techsem-ის და NARI-ს ბრენდების ოფიციალურ გავრცელებას. იმპორტისა და ექსპორტის კვალიფიკაციით და 11 წელზე მეტი გამოცდილებით ვაექსპორტირებთ რუსეთში, არაბთა გაერთიანებულ საამიროებში და სხვა ევროპულ ქვეყნებში.
Ჩვენ გვაქვს მწარმოებლების შერჩევის, პროფესიონალური ტექნიკური გუნდების და პროდუქტის ხარისხის კონტროლის მკაცრი მოთხოვნები, რათა უზრუნველყოთ სარკინიგზო ტრანსპორტის, ენერგეტიკის, ელექტრომობილების, ძრავის ინვერტორებისა და სიხშირის გარდაქმნის სფეროში მყოფი პროექტების გლუვი მიმდინარეობა.
Ასევე, მომხმარებელთა სპეციალური პარამეტრების მიხედვით საჭირო თირისტორებისა და ელექტრო მოწყობილობების პერსონალიზებაში დახმარება ასევე მნიშვნელოვან კომპონენტს წარმოადგენს ჩვენი კონტრაქტული წარმოებისა და ჩვენი უპირატესობების ერთს.
Უსაფრთხო მიწოდება
Ჩვენ ვთანამშრომლობთ წამყვან საერთაშორისო ტვირთის გადამზიდი კომპანიებთან დროული ტრანსპორტირების უზრუნველსაყოფად.
Ამასთან, ჩვენ ყოველი პარტიის ყურადღებით ვაკეთებთ შეფუთვას ტоварები მომხმარებლის მოთხოვნების შესაბამისად, რათა დაუზიანებელი და უმთხრემი მიწოდება უზრუნველყოთ.
EN
