IDG75X12T2, IGBT დისკრეტული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Ის C

Კოლექტორის დენი @ T C =25o C @ T C =100o C

150

75

Ა

Ის CM

Პულსირებული Კოლექციონერი Მიმდინარე t p შეზღუდული ნა T vjmax

225

Ა

P D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

852

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

Ის F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

75

Ა

Ის FM

Პულსირებული Კოლექციონერი Მიმდინარე t p შეზღუდული ნა T vjmax

225

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40 დან +175

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-55 დან +150

o C

T Ს

Სადნობი ტემპერატურა, 1.6mm f დან კორპუსისთვის 10ს

260

o C

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

Ის C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25o C

1.75

2.20

V

Ის C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.10

Ის C =75A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =175o C

2.20

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Ის C =3.00mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T vj =25o C

5.0

5.8

6.5

V

Ის CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25o C

250

μA

Ის Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

100

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა

2.0

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=100kHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

6.58

nF

C oes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

0.40

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

0.19

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15...+15 ვოლტი

0.49

μC

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =75A, Რ G =4.7Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=40nH,

T vj =25o C

41

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

135

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

87

n

t f

Შემოდგომის დრო

255

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

12.5

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

3.6

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =75A, Რ G =4.7Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=40nH,

T vj =150o C

46

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

164

n

t f

Შემოდგომის დრო

354

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

17.6

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

6.3

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =75A, Რ G =4.7Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, Ls=40nH,

T vj =175o C

46

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

140

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

167

n

t f

Შემოდგომის დრო

372

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

18.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

6.7

mJ

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =175o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

300

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

Ის F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =25o C

1.75

2.20

V

Ის F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =150o C

1.75

Ის F =75A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =175o C

1.75

trr

Დიოდი საპირისპირო Აღდგენის დრო

V Რ =600 ვოლტი,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, Ls=40nH,

T vj =25o C

267

n

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

4.2

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

22

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

1.1

mJ

trr

Დიოდი საპირისპირო Აღდგენის დრო

V Რ =600 ვოლტი,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, Ls=40nH,

T vj =150o C

432

n

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

9.80

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

33

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

2.7

mJ

trr

Დიოდი საპირისპირო Აღდგენის დრო

V Რ =600 ვოლტი,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, Ls=40nH,

T vj =175o C

466

n

Q რ

Აღდგენილი გადასახადი

11.2

μC

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

35

Ა

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

3.1

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ) Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.176 0.371

Კვ/ვ

Რ thJA

Ჯუნქცია-კ გარემოს

40

Კვ/ვ