GD900SGF120A3SN,IGBT მოდული,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C @ T C=100o C

1466

900

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

1800

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =175o C

5.34

კვ

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

900

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

1800

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t= 1წთ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T vj =25o C

2.00

2.45

V

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T vj =125o C

2.50

IC=900A,V GE =15 ვოლტი, T vj =150o C

2.65

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=32.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

1.44

ω

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ Გონ =1Ω, Რ Გოფ =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =25o C

520

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

127

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

493

n

t f

Შემოდგომის დრო

72

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

76.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

85.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ Გონ =1Ω, Რ Გოფ =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =125o C

580

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

168

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

644

n

t f

Შემოდგომის დრო

89

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

127

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

98.5

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=900A, Რ Გონ =1Ω, Რ Გოფ =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, T vj =150o C

629

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

176

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

676

n

t f

Შემოდგომის დრო

96

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

134

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

99.0

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

IF =900A,V GE =0V,T vj =25o C

1.95

2.40

V

IF =900A,V GE =0V,T vj =125o C

2.00

IF =900A,V GE =0V,T vj =150o C

2.05

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =25o C

80

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

486

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

35.0

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =125o C

153

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

510

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

64.0

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

T vj =150o C

158

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

513

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

74.0

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

12

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.19

mΩ

Რ thJC

Გადასასვლელი --დან -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

28.1 44.1

K/kW

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

9.82 15.4 6.0

K/kW

Მ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M8 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

1050

g