Მოკლე გაცნობარება
IGBT მოდული , წარმოებული STARPOWER-ის მიერ. 1700V 300A.
Მახასიათებლები
-
Დაბალი VCE (სატ) Საფენი IGBT ტექნოლოგია
- 10μs მოკლემეტრაჟიანი მიერთების შესაძლებლობა
-
VCE (სატ) თან დადებითი температура კოეფიციენტი
- Მაქსიმალური შეჯვარების ტემპერატურა 175oC
- Დაბალი ინდუქტენტობის საფარი
- Სწრაფი & რბილი საპირისპირო აღდგენა ანტი პარალელური FWD
- Იზოლირებული სპილენძის ბაზა DBC ტექნოლოგიის გამოყენებით
Ტიპური Გამოყენების სფეროები
-
Iმოტორის დრაივის ინვერტერი
- Ცვლადი და ცალკეული დენის სერვოძრავის გამაძლიერებელი
- Უწყვეტი დენის მიწოდება
Აბსოლუტური Მაქსიმალური Რეიტინგები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
IGBT
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V CES |
Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა |
1700 |
V |
V Გენერალური საწვავის სისტემა |
Ღობე-გამომცემის ძაბვა |
±20 |
V |
IC |
Კოლექტორის დენი @ T C=25o C
@ ტ C= 100o C
|
648
400
|
A |
IᲡმ |
Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms |
800 |
A |
Პ D |
Მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა T =175o C |
2380 |
W |
Დიოდი
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
V RRM |
Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა |
1700 |
V |
IF |
Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა |
400 |
A |
IFM |
Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms |
800 |
A |
Მოდული
Სიმბოლო |
Აღწერა |
Ღირებულება |
Ერთეული |
T jmax |
Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა |
175 |
o C |
T ჯოპი |
Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა |
-40-დან +150-მდე |
o C |
T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო |
Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე |
-40-დან +125-მდე |
o C |
V ISO |
Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი |
4000 |
V |
IGBT Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
|
V CE ((sat)
|
Შემგროვებელი გამცემი
Გამსჭვალვის ძაბვა
|
IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C |
|
2.25 |
|
IC=400A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C |
|
2.35 |
|
V GE (th) |
Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი |
IC= 16.0mA,V CE =V GE , ტ ჯ =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული
Მიმდინარე
|
V CE =V CES ,V GE =0V,
T ჯ =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
IᲒენერალური საწვავის სისტემა |
Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე |
V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C |
|
|
400 |
nA |
Რ Გინტი |
Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური |
|
|
1.88 |
|
ω |
Cies |
Შეყვანის სიმძლავრე |
V CE =25V,f=1MHz,
V GE =0V
|
|
48.2 |
|
nF |
Cres |
Საპირისპირო გადაცემა
Გამტარუნარიანობა
|
|
1.17 |
|
nF |
Კითხვა G |
Კარიბჭის გადასახადი |
V GE =- 15 ვოლტი...+15 ვოლტი |
|
3.77 |
|
μC |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C=400A, Რ G=0.82Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C
|
|
204 |
|
n |
t რ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
38 |
|
n |
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
425 |
|
n |
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
113 |
|
n |
Ე ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება
Დანარჩენი
|
|
97.9 |
|
mJ |
Ე გათიშული |
Გამორთვის გადართვა
Დანარჩენი
|
|
84.0 |
|
mJ |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C=400A, Რ G=0.82Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =125o C
|
|
208 |
|
n |
t რ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
50 |
|
n |
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
528 |
|
n |
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
184 |
|
n |
Ე ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება
Დანარჩენი
|
|
141 |
|
mJ |
Ე გათიშული |
Გამორთვის გადართვა
Დანარჩენი
|
|
132 |
|
mJ |
t d (ჩართული ) |
Ჩართვის შეფერხების დრო |
V CC =900V,I C=400A, Რ G=0.82Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =150o C
|
|
216 |
|
n |
t რ |
Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ |
|
50 |
|
n |
t d (გათიშული ) |
Გამორთვა Დაყოვნების დრო |
|
544 |
|
n |
t f |
Შემოდგომის დრო |
|
204 |
|
n |
Ე ჩართული |
Ჩართვა Გადაღება
Დანარჩენი
|
|
161 |
|
mJ |
Ე გათიშული |
Გამორთვის გადართვა
Დანარჩენი
|
|
137 |
|
mJ |
|
ISC
|
Ს.კ. მონაცემები
|
t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,
T ჯ =150o C,V CC = 100 ვოლტი, V CEM ≤1700V
|
|
1600
|
|
A
|
Დიოდი Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Გამოცდის პირობები |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
|
V F
|
Დიოდი წინ
Ვოლტი
|
IF =400A,V GE =0V,T ჯ =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
IF =400A,V GE =0V,T ჯ =125o C |
|
1.90 |
|
IF =400A,V GE =0V,T ჯ =150o C |
|
1.95 |
|
Კითხვა რ |
Აღდგენილი გადასახადი |
V Რ =900V,I F =400A,
-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C
|
|
116 |
|
μC |
IRM |
Პიკის საპირისპირო
Აღდგენის დენი
|
|
666 |
|
A |
Ე რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
63.8 |
|
mJ |
Კითხვა რ |
Აღდგენილი გადასახადი |
V Რ =900V,I F =400A,
-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T ჯ =125o C
|
|
187 |
|
μC |
IRM |
Პიკის საპირისპირო
Აღდგენის დენი
|
|
662 |
|
A |
Ე რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
114 |
|
mJ |
Კითხვა რ |
Აღდგენილი გადასახადი |
V Რ =900V,I F =400A,
-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T ჯ =150o C
|
|
209 |
|
μC |
IRM |
Პიკის საპირისპირო
Აღდგენის დენი
|
|
640 |
|
A |
Ე რეკ |
Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია |
|
132 |
|
mJ |
Მოდული Მახასიათებლები T C=25o C თუკი სხვანაირად მონიშნული
Სიმბოლო |
Პარამეტრი |
Მინ. |
Თპ. |
Მაქსიმალური |
Ერთეული |
LCE |
Ცარიელი ინდუქტენტობა |
|
15 |
|
nH |
Რ CC+EE |
Მოდული Lead Resista თმალალთ ნა ქპს |
|
0.18 |
|
mΩ |
Რ thJC |
Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)
Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)
|
|
|
0.063
0.105
|
Კვ/ვ |
|
Რ thCH
|
Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)
Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)
Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)
|
|
0.016
0.027
0.010
|
|
Კვ/ვ |
|
Მ
|
Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მ4 Ტერმინალის კავშირი Ტორქი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6 |
1.1
2.5
3.0
|
|
2.0
5.0
5.0
|
N.m
|
G |
Წონა შემდეგი Მოდული |
|
300 |
|
g |