GD400SGU120C2SD, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C @ ტ C =65 o C

542

400

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

800

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T vj =150 o C

2840

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Მეორედ გამეორებითი პიკი უკუქცევითი ძაბვა მოწოდება

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ კუ ბინა

400

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

800

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T vjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

o C

T vjop

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +125-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =25 o C

3.10

3.55

V

I C =400A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T vj =125 o C

3.95

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =16 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T vj =25 o C

4.9

5.9

6.9

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

0.63

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz, V Გენერალური საწარმოები =0V

27.0

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა Გამტარუნარიანობა

1.64

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =-15V…+15V

4.32

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =50 nH ,T vj =25 o C

275

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

68

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

455

n

t f

Შემოდგომის დრო

45

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

26.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.2

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =400A, R G =2.2Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, LS =50 nH ,T vj =125 o C

281

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

69

n

t d(off)

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

495

n

t f

Შემოდგომის დრო

57

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

32.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

19.9

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs, V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T vj =125 o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

2700

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ Ვოლტი

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

I F =400A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5666A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LS =50 nH ,T vj =25 o C

42.0

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

329

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

16.2

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =400A,

-di/dt=5534A/μs,V Გენერალური საწარმოები =-15V, LS =50 nH ,T vj =125 o C

71.9

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

382

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

30.0

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.35

mΩ

R thJC

Გადასასვლელი -რომ -Შემთხვევა (perIGBT ) Ჯუნქცია-კეისზე (თითო დი ოდი)

0.044 0.107

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო დიოდის) Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.014 0.034 0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g