GD200TLQ120L3S, IGBT მოდული, 3-დონიერი, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

339

200

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

400

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

1456

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

75

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ = 1ms

150

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

650

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C=95o C

158

100

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ = 1ms

200

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =175o C

441

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

650

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

100

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ = 1ms

200

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC= 100A,V GE = 15V, T ჯ =25o C

1.40

1.85

V

IC= 100A,V GE = 15V, T ჯ =125o C

1.65

IC= 100A,V GE = 15V, T ჯ =150o C

1.70

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.8

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.58

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

1.56

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C= 100A, Რ G= 1. 1Ω, V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

142

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

25

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

352

n

t f

Შემოდგომის დრო

33

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

1.21

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

3.90

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C= 100A, Რ G= 1. 1Ω, V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

155

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

29

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

440

n

t f

Შემოდგომის დრო

61

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

2.02

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

5.83

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C= 100A, Რ G= 1. 1Ω, V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

30

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

462

n

t f

Შემოდგომის დრო

66

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

2.24

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

6.49

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =75A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

IF =75A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.65

IF =75A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V GE =- 15V T ჯ =25o C

8.7

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

122

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

2.91

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V GE =- 15V T ჯ = 125o C

17.2

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

143

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

5.72

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F =75A,

-di/dt=3500A/μs, V GE =- 15V T ჯ = 150o C

19.4

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

152

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

6.30

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC= 100A,V GE = 15V, T ჯ =25o C

1.45

1.90

V

IC= 100A,V GE = 15V, T ჯ =125o C

1.60

IC= 100A,V GE = 15V, T ჯ =150o C

1.70

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC= 1.60mA, V CE =V GE , ტ ჯ =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

2.0

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.23

nF

Კითხვა G

Კარიბჭის გადასახადი

V GE =- 15…+15V

0.69

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C= 100A, Რ G=3.3Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

44

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

20

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

200

n

t f

Შემოდგომის დრო

28

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

1.48

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

2.48

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C= 100A, Რ G=3.3Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

48

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

24

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

216

n

t f

Შემოდგომის დრო

40

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

2.24

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

3.28

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =400V, I C= 100A, Რ G=3.3Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

52

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

24

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

224

n

t f

Შემოდგომის დრო

48

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

2.64

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

3.68

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤6μs,V GE = 15V,

T ჯ =150o C,V CC =360V, V CEM ≤650 ვოლტი

500

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF = 100A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.55

2.00

V

IF = 100A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.50

IF = 100A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.45

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs, V GE =- 15V T ჯ =25o C

3.57

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

99

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

1.04

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs, V GE =- 15V T ჯ = 125o C

6.49

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

110

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

1.70

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =400V, I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs, V GE =- 15V T ჯ = 150o C

7.04

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

110

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

1.81

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ thJC

Გადახრა-კეისზე (თითოეულ T1, T4 IGBT)

Კავშირი კერძოდ (თითოეული D1, D4 დიოდისთვის) de)

Კავშირი კერძოდ (თითოეული T2-სთვის) T3 IGBT)

Კავშირი-კერძო (თითოეულ D2,D3 დიოდისთვის) de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო T1,T4 IGBT)

Კერძო-გამყიდველი (თითოეულ D1,D4 Დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო T2,T3 IGBT)

Კერძო-გამყიდველი (თითოეულ D2,D3 Დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო Მოდული)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

Კვ/ვ

F

Მონტაჟის ძალა თითოეულ კლამპისთვის

40

80

N

G

Წონა შემდეგი Მოდული

39

g