Მოკლე გაცნობარება
Ტრისტორი/დიოდი მოდული, MTx 820 MFx 820 MT800，820A,Ჰაერის გაგრილება ，ნაოპაგთლ ნა TECHSEM.
VRRM ,VDRM |
Ტიპი & კონტურა |
600V |
MTC820-06-416F3 |
MFC820-06-416F3 |
800V |
MTC820-08-416F3 |
MFC820-08-416F3 |
1000 ვოლტი |
MTC820-10-415F3 |
MFC820-10-416F3 |
1200 ვოლტი |
MTC820-12-416F3 |
MFC820-12-416F3 |
1400V |
MTC820-14-416F3 |
MFC820-14-416F3 |
1600V |
MTC820-16-416F3 |
MFC820-16-416F3 |
1800V |
MTC820-18-416F3 |
MFC820-18-416F3 |
1800V |
MT820-18-416F3G |
|
Მახასიათებლები
- Იზოლირებული მონტაჟის ბაზა 3000V~
- Წნევის კონტაქტის ტექნოლოგია
- Გაზრდილი ენერგიის ციკლის შესაძლებლობა
- Სივრცისა და წონის დაზოგვა
Ტიპიური გამოყენებები
- Მუდმივი დენის მქონე ძრავები
- Სხვადასხვა რექტიფიკატორები
- PWM ინვერტისთვის დისტანციური დენის მიწოდება
|
Სიმბოლო
|
Მახასიათებელი
|
Გამოცდის პირობები
|
Tj(℃) |
Ღირებულება |
Ერთეული
|
Წუთი |
Ტიპი |
Მაქს. |
IT(AV) |
Საშუალო ჩართული მიმდინარე |
180°ნახევარი სინუსოიდალური ტალღა 50Hz, ერთგვარი გამყარებული, Tc=85℃ |
135
|
|
|
820 |
A |
IT(RMS) |
RMS აქტიური მიმდინარე |
180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz |
|
|
1287 |
A |
Ირმ ირმ |
Განმეორებითი პიკური დენი |
vDRM-ზე VRRM-ზე |
135 |
|
|
120 |
mA |
ITSM |
Სერჟი ჩართული მიმდინარე |
10ms ნახევარი სიუნუს ტალღა, VR=0V |
135
|
|
|
20.1 |
kA |
I2t |
I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის |
|
|
2020 |
A2s* 10 3 |
VTO |
Საფეხური ძაბვა |
|
135
|
|
|
0.81 |
V |
რტ |
Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა |
|
|
0.24 |
მΩ |
VTM |
Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.38 |
V |
dv/dt |
Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
1000 |
V/μS |
di/dt |
Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე |
Გეითის წყარო 1.5A
tr ≤0.5μs განმეორებითი
|
135 |
|
|
200 |
A/μS |
tgd |
Კარიბჭის კონტროლირებადი დაგვიანების დრო |
IG= 1A dig/dt=1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
tq |
Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
135 |
|
250 |
|
µs |
IGT |
Კარის ტრიგერის მიმდინარე |
VA= 12V, IA= 1A
|
25
|
30 |
|
250 |
mA |
Vgt |
Კარების ტრიგერის ძაბვა |
0.8 |
|
3.0 |
V |
IH |
Შენარჩუნების მიმდინარე |
10 |
|
300 |
mA |
IL |
Ჩაკეტვის მიმდინარე |
IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us |
25 |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Არატრიგერის კარების ძაბვა |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
0.25 |
V |
Ი.გ.დ. |
Არამომშვები ღობეების დენი |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
5 |
mA |
Rth(j-c) |
Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.047 |
°C/W |
Rth(c-h) |
Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე |
Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე |
|
|
|
0.015 |
°C/W |
VISO |
Იზოლაციის ძაბვა |
50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
FM
|
Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·მ |
Მონტაჟის ტორქე(M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·მ |
Tvj |
Ჯუნქციის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
135 |
℃ |
TSTG |
Შენახვის ტემპერატურა |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Წონა |
|
|
|
1410 |
|
g |
Კონტური |
416F3 |
EN
