MTx820,MFx820,თირისტორი/დიოდის მოდულები,ჰაერის გაგრილება

VRRM ,VDRM

Ტიპი & კონტურა

600V

MTC820-06-416F3

MFC820-06-416F3

800V

MTC820-08-416F3

MFC820-08-416F3

1000 ვოლტი

MTC820-10-415F3

MFC820-10-416F3

1200 ვოლტი

MTC820-12-416F3

MFC820-12-416F3

1400V

MTC820-14-416F3

MFC820-14-416F3

1600V

MTC820-16-416F3

MFC820-16-416F3

1800V

MTC820-18-416F3

MFC820-18-416F3

1800V

MT820-18-416F3G

Სიმბოლო

Მახასიათებლები

Გამოცდის პირობები

Tj(℃)

Ღირებულება

Ერთეული

Მნ

Ტიპი

Მაქს

IT(AV)

Საშუალო ჩართული მიმდინარე

180° ნახევარი სინუსოიდალური ტალღა 50Hz, ერთგვარი გამყარებული, Tc=85℃

135

820

Ა

IT(RMS)

RMS აქტიური მიმდინარე

180。ნახევარი სინუსური ტალღა 50Hz

1287

Ა

Ირმ ირმ

Განმეორებითი პიკური დენი

vDRM-ზე VRRM-ზე

135

120

mA

ITSM

Სერჟი ჩართული მიმდინარე

10ms ნახევარი სიუნუს ტალღა, VR=0V

135

20.1

kA

I ²t

I2t ფუზირების კოორდინაციისთვის

2020

Ა ²s* 10 ³

VTO

Საფეხური ძაბვა

135

0.81

V

რტ

Ჩართული მდგომარეობის დახრის წინააღმდეგობა

0.24

მΩ

VTM

Პიკი ჩართული მდგომარეობის ძაბვა

ITM= 1500A

25

1.38

V

dv/dt

Გამორთვის ძაბვის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

VDM=67%VDRM

135

1000

V/μS

di/dt

Ჩართული მდგომარეობის დენის კრიტიკული ზრდის სიჩქარე

Გეითის წყარო 1.5A

tr ≤0.5μs განმეორებითი

135

200

A/μS

tgd

Კარიბჭის კონტროლირებადი დაგვიანების დრო

IG= 1A dig/dt=1A/μs

25

4

μs

tq

Სქემის კომუტირებული გამორთვის დრო

ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs

135

250

µs

IGT

Კარის ტრიგერის მიმდინარე

VA= 12V, IA= 1A

25

30

250

mA

Vgt

Კარების ტრიგერის ძაბვა

0.8

3.0

V

IH

Შენარჩუნების მიმდინარე

10

300

mA

IL

Ჩაკეტვის მიმდინარე

IA=1A IG=1A dig/dt=1A/μs tg=30us

25

1500

mA

VGD

Არატრიგერის კარების ძაბვა

VDM=67%VDRM

135

0.25

V

Ი.გ.დ.

Არამომშვები ღობეების დენი

VDM=67%VDRM

135

5

mA

Rth(j-c)

Თერმული წინააღმდეგობა ჯუნქციიდან კორპუსამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.047

°C/W

Rth(c-h)

Თერმული წინააღმდეგობა კორპუსიდან სითბოს გამტარამდე

Ერთმხრივი გაგრილება თითო ჩიპზე

0.015

°C/W

VISO

Იზოლაციის ძაბვა

50Hz,R.M.S,t= 1წუთი,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Ტერმინალის კავშირი ტორქი(M10)

10.0

12.0

N·მ

Მონტაჟის ტორქე(M6)

4.5

6.0

N·მ

Tvj

Ჯუნქციის ტემპერატურა

-40

135

°C

TSTG

Შენახვის ტემპერატურა

-40

125

°C

Wt

Წონა

1410

g

Კონტური

416F3