GD200SGU120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

GD200SGU120C2S

Ერთეულები

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის მიმდინარე @ T C =25 °C

@ ტ C =80 °C

320

200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1 ms

400

Ა

I F

Დიოდი უწყვეტი წინასწარი დენი @ T C =80 °C

200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =1 50°C

1645

W

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

°C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

°C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

Დაყენება Ტორქი

Სიგნალის ტერმინალი Შრიფტი:M4

1.1 დან 2.0

Გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

N.m

Დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0-დან 5.0

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V (BR )CES

Კოლექტორი-გამომავალი

Გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25 °C

1200

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V, T ჯ =25 °C

5.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 °C

400

nA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =2.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 °C

4.4

4.9

6.0

V

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

3.10

3.55

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

3.45

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 °C

577

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

540

n

t f

Შემოდგომის დრო

123

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

16.3

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =4.7Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125 °C

609

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

121

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

574

n

t f

Შემოდგომის დრო

132

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

22.0

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.2

mJ

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

16.9

nF

C oes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.51

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.61

nF

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125 °C, V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1800

Ა

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

R CC+EE

Მოდული Lead

Ოპერაციული წინააღმდეგობა,

Ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =200A

T ჯ =25 °C

1.82

2.25

V

T ჯ =125 °C

1.92

Q r

Აღდგენილი

Დავალება

I F =200A,

V R =600V,

R G =4.7Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25 °C

13.1

μC

T ჯ =125 °C

26.1

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

T ჯ =25 °C

123

Ა

T ჯ =125 °C

172

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

T ჯ =25 °C

7.0

mJ

T ჯ =125 °C

12.9