GD200SGU120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

GD200SGU120C2S

Ერთეულები

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის მიმდინარე @ T C=25℃

@ ტ C=80℃

320

200

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

A

IF

Დიოდი უწყვეტი წინასწარი დენი @ T C=80℃

200

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T ჯ =150℃

1645

W

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

℃

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

℃

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Მონტაჟი Ტორქი

Სიგნალის ტერმინალი Შრიფტი:M4

1.1 დან 2.0

Გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

N.m

Დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0-დან 5.0

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V (BR )CES

Კოლექტორი-გამომავალი

Გამორთვის ძაბვა

T ჯ =25℃

1200

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V, T ჯ =25℃

5.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25℃

400

nA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=2.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25℃

4.4

4.9

6.0

V

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25℃

3.10

3.55

V

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125℃

3.45

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=4.7Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25℃

577

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

120

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

540

n

t f

Შემოდგომის დრო

123

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

16.3

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

12.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G=4.7Ω,V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =125℃

609

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

121

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

574

n

t f

Შემოდგომის დრო

132

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

22.0

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

16.2

mJ

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V GE =0V

16.9

nF

Coes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

1.51

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.61

nF

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 V,

T ჯ =125℃,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

1800

A

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead

Წინაღობას,

Ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =200A

T ჯ =25℃

1.82

2.25

V

T ჯ =125℃

1.92

Კითხვა რ

Აღდგენილი

Დავალება

IF =200A,

V Რ =600V,

Რ G=4.7Ω,

V GE =-15 ვოლტი

T ჯ =25℃

13.1

μC

T ჯ =125℃

26.1

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

T ჯ =25℃

123

A

T ჯ =125℃

172

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

T ჯ =25℃

7.0

mJ

T ჯ =125℃

12.9