GD200FFY120C6S,IGBT Module,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C = 100o C

309

200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 o C

1006

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.70

2.15

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =125 o C

1.95

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.00

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =5.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

400

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

4.0

ω

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

150

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

330

n

t f

Შემოდგომის დრო

93

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

11.2

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

161

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

412

n

t f

Შემოდგომის დრო

165

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

19.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

17.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G = 1. 1Ω, V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

161

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

433

n

t f

Შემოდგომის დრო

185

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

21.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

19.1

mJ

I SC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი,

T ჯ =150 o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

800

Ა

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.65

2.10

V

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.65

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C

17.6

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

228

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.7

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =125 o C

31.8

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

238

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.8

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =150 o C

36.6

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

247

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

R 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა of R 100

T C = 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ენერგია

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/50 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/80 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

R 2=R 25exp [ბ] 25/100 1/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

21

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა e, ტერმინალი ჩიპზე

1.80

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.149

0.206

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031

0.043

0.009

Კვ/ვ

M

Დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0

6.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g