GD200FFY120C6S,IGBT Module,STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C= 100o C

309

200

A

IᲡმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

A

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175o C

1006

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

IF

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

A

IFM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Მნიშვნელობები

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

2500

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.70

2.15

V

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =125o C

1.95

IC=200A,V GE =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.00

V GE (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Კოლექციონერი Გაჭრილი -Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V GE =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

IᲒენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V GE =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

400

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

4.0

ω

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G= 1. 1Ω, V GE =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

150

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

32

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

330

n

t f

Შემოდგომის დრო

93

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

11.2

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.3

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G= 1. 1Ω, V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

37

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

412

n

t f

Შემოდგომის დრო

165

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

19.8

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

17.0

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ G= 1. 1Ω, V GE =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

161

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

43

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

433

n

t f

Შემოდგომის დრო

185

n

Ე ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

21.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

19.1

mJ

ISC

Ს.კ. მონაცემები

t Პ ≤ 10μs,V GE =15 ვოლტი,

T ჯ =150o C,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

800

A

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

IF =200A,V GE =0V,T ჯ =25o C

1.65

2.10

V

IF =200A,V GE =0V,T ჯ = 125o C

1.65

IF =200A,V GE =0V,T ჯ = 150o C

1.65

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T ჯ =25o C

17.6

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

228

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

7.7

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T ჯ =125o C

31.8

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

238

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

13.8

mJ

Კითხვა რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V GE =- 15V T ჯ =150o C

36.6

μC

IRM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

247

A

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

15.2

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

Რ 25

Ნომინირებული წინააღმდეგობა

5.0

kΩ

δR/R

Გადახრა შემდეგი Რ 100

T C= 100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

Პ 25

Ძალა

Გამოტაცია

20.0

მვთ

B 25/50

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/501/T 2-

1⁄298.15K))]

3375

Კ

B 25/80

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/801/T 2-

1⁄298.15K))]

3411

Კ

B 25/100

B-მასპინძელი

Რ 2=R 25exp [ბ] 25/1001/T 2-

1⁄298.15K))]

3433

Კ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

21

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა e, ტერმინალი ჩიპზე

1.80

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.149

0.206

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.031

0.043

0.009

Კვ/ვ

Მ

Დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0

6.0

N.m

G

Წონა შემდეგი Მოდული

300

g