GD200FFY120C6SF, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

I C

Კოლექტორის დენი @ T C =25 o C

@ ტ C =85 o C

294

200

Ა

I CM

Პულსირებული კოლექტორის დენი t პ =1ms

400

Ა

Პ D

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175 o C

1056

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

I F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

Ა

I FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t პ =1ms

400

Ა

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 მნ

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

1.90

2.35

V

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

2.40

I C =200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150 o C

2.55

V Გენერალური საწარმოები (th )

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

I C =5.0 mA ,V CE = V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Კოლექციონერი Გადაჭრილი -Გათიშული

Დიდება

V CE = V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25 o C

1.0

mA

I Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Დიდება

V Გენერალური საწარმოები = V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25 o C

100

nA

R Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.75

ω

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

20.7

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.58

nF

Q G

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15…+15V

1.55

μC

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =0.75Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25 o C

374

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

326

n

t f

Შემოდგომის დრო

204

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

13.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

10.4

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =0.75Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

419

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

63

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

383

n

t f

Შემოდგომის დრო

218

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

20.8

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.9

mJ

t d (ჩართული )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =200A, R G =0.75Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

419

n

t r

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

65

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

388

n

t f

Შემოდგომის დრო

222

n

E ჩართული

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

22.9

mJ

E გათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25 o C

1.90

2.35

V

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.90

I F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.90

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ =25 o C

10.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

90

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

3.40

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 125o C

26.2

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

132

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.75

mJ

Q r

Აღდგენილი გადასახადი

V R =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Გენერალური საწარმოები - ჟრანთ. 15V T ჯ = 150o C

30.4

μC

I RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

142

Ა

E რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.3

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

L CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

R CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.25

mΩ

R thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.142

0.202

Კვ/ვ

R thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.034

0.048

0.010

Კვ/ვ

M

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Წონა of Მოდული

300

g