GD200FFY120C6SF, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V CES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

V Გენერალური საწვავის სისტემა

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

Მე C

Კოლექტორის დენი @ T C=25o C

@ ტ C=85o C

294

200

A

Მე Სმ

Პულსირებული კოლექტორის დენი t p =1ms

400

A

PD

Მაქსიმალური ენერგიის დაშლა @ T =175o C

1056

W

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

V RRM

Განმეორებადი პიკის საპირისპირო ძაბვა

1200

V

Მე F

Დიოდი უწყვეტი წინ ქირაობა

200

A

Მე FM

Დიოდის მაქსიმალური წინასწარი დენი t p =1ms

400

A

Სიმბოლო

Აღწერა

Ღირებულება

Ერთეული

T jmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

175

o C

T ჯოპი

Მუშაობის კვანძის ტემპერატურა

-40-დან +150-მდე

o C

T Სისხლძარღვთა საწინააღმდეგო

Შემადგენლითი ტემპერატურა Სიჩარე

-40-დან +125-მდე

o C

V ISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1 წუთი

4000

V

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V CE ((sat)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

Მე C=200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =25o C

1.90

2.35

V

Მე C=200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

2.40

Მე C=200A,V Გენერალური საწარმოები =15 ვოლტი, T ჯ =150o C

2.55

V Გენერალური საწარმოები (th)

Ღობე-გამომცემის ზღვარი Ვოლტი

Მე C=5.0mA ,V CE =V Გენერალური საწარმოები , T ჯ =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Მე CES

Კოლექციონერი Გაჭრილი —Გათიშული

Მიმდინარე

V CE =V CES ,V Გენერალური საწარმოები =0V,

T ჯ =25o C

1.0

mA

Მე Გენერალური საწვავის სისტემა

Კარიბჭის გამშვები გამონაბოლქვი Მიმდინარე

V Გენერალური საწარმოები =V Გენერალური საწვავის სისტემა ,V CE =0V, T ჯ =25o C

100

nA

Რ Გინტი

Შიდა კარიბჭის წინააღმდეგობა თეატრალური

3.75

ω

Cies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =25V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

20.7

nF

Cres

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.58

nF

Კ Გ

Კარიბჭის გადასახადი

V Გენერალური საწარმოები =- 15…+15V

1.55

μC

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ Გ =0.75Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25o C

374

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

50

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

326

n

t f

Შემოდგომის დრო

204

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

13.8

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

10.4

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ Გ =0.75Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 125o C

419

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

63

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

383

n

t f

Შემოდგომის დრო

218

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

20.8

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.9

mJ

t d (ჩართულია )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C=200A, Რ Გ =0.75Ω,V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ = 150o C

419

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

65

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

388

n

t f

Შემოდგომის დრო

222

n

Eჩართულია

Ჩართვა Გადაღება

Დანარჩენი

22.9

mJ

Eგათიშული

Გამორთვის გადართვა

Დანარჩენი

11.9

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Მე F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ =25o C

1.90

2.35

V

Მე F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 125o C

1.90

Მე F =200A,V Გენერალური საწარმოები =0V,T ჯ = 150o C

1.90

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ =25o C

10.2

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

90

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

3.40

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ = 125o C

26.2

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

132

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

9.75

mJ

Კ რ

Აღდგენილი გადასახადი

V Რ =600 ვოლტი,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V Გენერალური საწარმოები =- 15V T ჯ = 150o C

30.4

μC

Მე RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

142

A

Eრეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

11.3

mJ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეული

LCE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

15

nH

Რ CC+EE

Მოდულის ტყვიის წინააღმდეგობა, Ტერმინალი ჩიპზე

0.25

mΩ

Რ thJC

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

Კვანძები (D-ზე) იოდი)

0.142

0.202

Კვ/ვ

Რ thCH

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო IGBT)

Ქეის-დან-ჰეითსინკ (p) er დიოდი)

Კეისზე-თბოსინქზე (თითო M ოდულის)

0.034

0.048

0.010

Კვ/ვ

Წთ

Ტერმინალური კავშირის ბრუნვის ტაქტი, Მუხრუჭი M6 Დამონტაჟების ბრუნვის ძაბვა, Მუხრუჭი M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

Გ

Წონა შემდეგი Მოდული

300

გ