GD300SGU120C2S, IGBT მოდული, STARPOWER

Სიმბოლო

Აღწერა

GD300SGU120C2S

Ერთეულები

VCES

Კოლექტორ-გამომცემის ძაბვა

1200

V

VGES

Ღობე-გამომცემის ძაბვა

±20

V

IC

Კოლექტორის მიმდინარე @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

Ა

ICM

Პულსირებული კოლექტორის დენი tp=1ms

600

Ა

IF

Დიოდი უწყვეტი წინასწარი დენი @ TC=80℃

300

Ა

Თუმ

Დიოდის მაქსიმალური წინ მიმდინარე tp=1ms

600

Ა

PD

Მაქსიმალური ენერგიის გაფანტვა @ Tj=150℃

2272

W

Tjmax

Მაქსიმალური გადასასვლელი ტემპერატურა

150

℃

TSTG

Შენახვის ტემპერატურის დიაპაზონი

-40-დან +125-მდე

℃

VISO

Იზოლაციის ძაბვა RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Მონტაჟის მომენტი

Სიგნალის ტერმინალის შრიალი:M4

1.1 დან 2.0

Გამართვის ტერმინალის შრიალი:M6

2.5 დან 5.0

N.m

Დამონტაჟების შრიფტი:M6

3.0-დან 5.0-მდე

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V(BR)CES

Კოლექტორი-გამომავალი

Გამორთვის ძაბვა

Tj=25°C

1200

V

ICES

Კოლექტორის გათიშვა

Მიმდინარე

VCE=VCES,VGE=0V,Tj=25°C

5.0

mA

IGES

Გეიტ-ემიტერის გაჟონვის მიმდინარე

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25°C

400

nA

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

VGE ((თ)

Ღობე-გამშვები ღობეების საზღვრის ძაბვა

IC=3.0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

V

VCE (სატ)

Შემგროვებელი გამცემი

Გამსჭვალვის ძაბვა

IC=300A,VGE=15V,Tj=25°C

3.10

3.55

V

IC=300A,VGE=15V,Tj=125°C

3.45

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, Რ G =3.3Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =25℃

662

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

142

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

633

n

t f

Შემოდგომის დრო

117

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

19.7

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

22.4

mJ

t d (ზე )

Ჩართვის შეფერხების დრო

V CC =600 ვოლტი,I C =300A, Რ G =3.3Ω,

V Გენერალური საწარმოები =±15 ვოლტი, T ჯ =125℃

660

n

t რ

Ჟმვრა ნა დლაგვნთრვ

143

n

t d (გათიშული )

Გამორთვა Დაყოვნების დრო

665

n

t f

Შემოდგომის დრო

137

n

Ე ზე

Ჩართვა Გადაღება Დანარჩენი

24.9

mJ

Ე გათიშული

Გამორთვის გადართვა Დანარჩენი

28.4

mJ

C ies

Შეყვანის სიმძლავრე

V CE =30V,f=1MHz,

V Გენერალური საწარმოები =0V

25.3

nF

C oes

Გამოსავალი გამტარუნარიანობა

2.25

nF

C res

Საპირისპირო გადაცემა

Გამტარუნარიანობა

0.91

nF

Ის SC

Ს.კ. მონაცემები

t P ≤ 10μs,V Გენერალური საწარმოები =15 V,

T ჯ =125℃,V CC =900 ვოლტი, V CEM ≤1200V

2550

Ა

Ლ CE

Ცარიელი ინდუქტენტობა

20

nH

Რ CC+EE

Მოდული Lead

Წინაღობას,

Ტერმინალი ჩიპზე

0.18

mΩ

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Გამოცდის პირობები

Მინ.

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

V F

Დიოდი წინ

Ვოლტი

Ის F =300A

T ჯ =25℃

1.82

2.25

V

T ჯ =125℃

1.95

Q რ

Აღდგენილი

Დავალება

Ის F =300A,

V Რ =600V,

Რ G =3.3Ω,

V Გენერალური საწარმოები =-15 ვოლტი

T ჯ =25℃

29.5

μC

T ჯ =125℃

42.3

Ის RM

Პიკის საპირისპირო

Აღდგენის დენი

T ჯ =25℃

210

Ა

T ჯ =125℃

272

Ე რეკ

Საპირისპირო აღდგენა Ენერგია

T ჯ =25℃

16.4

mJ

T ჯ =125℃

22.7

Სიმბოლო

Პარამეტრი

Თპ.

Მაქსიმალური

Ერთეულები

Რ θ Ჟ.კ.

Კვანძები (IGB-ის მიხედვით) Ტ)

0.055

Კვ/ვ

Რ θ Ჟ.კ.

Კვანძები (D-ზე) Იოდი)

0.092

Კვ/ვ

Რ θ CS

Კასე-დან-სანკამდე (მატარებელი ცხიმის აპლიკაცია) ტყუილი)

0.035

Კვ/ვ

Წონა

Წონა Მოდული

300

g