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簡単な紹介：
圧着パッケージ IGBT モジュール 4500V 3000A、円形構造。YT社によるカスタム生産
このシリーズの 製品 高耐障害性、高信頼性、高短絡耐量、高熱サイクル耐量、低漏れインダクタンス、両面冷却による優れた機能を備えています。主にMMC-HVDCバルブ、HVDC柔軟システムに広く使用されています。 DCブレーカー、オフショア風力発電、オフショア風力発電、大規模産業用ドライブ。
特徴
応用
絶対値 最大 レーティング （注） （T c = 25 °C , しない限り 違うなら 仕様済み）
特徴 |
シンボル |
注記 |
試験条件 |
レーティング |
ユニット |
集合器-放出器の電圧 |
総額 |
|
|
4500 |
V |
ゲート・エミッター・ボルト |
V GES |
|
|
±20 |
V |
コレクタ電流（直流） |
集積回路 |
（注釈1） |
|
3000 |
A |
コレクタ電流（パルス） |
ICP |
(注 2) |
|
6000 |
A |
コレクタ電力損失 |
PC |
(注 3) |
T f = 25 ℃ |
25879 |
W について |
接合温度 |
Tj |
|
|
-40から150 |
°C |
交差点の動作温度 |
Tj(opr) |
|
|
-40～125 |
°C |
ケース温度 |
TC |
|
|
-40～85 |
°C |
保管温度 |
ターゲット・ストーブ |
|
|
-40～125 |
°C |
取り付け力 |
|
|
59～70 |
kN |
電気 特性
特徴 |
シンボル |
試験条件 |
ほんの少し |
タイプする |
マックス |
ユニット |
ゲート-エミッタリーク電流 |
ゲノム |
V GE = ±20 V, VCE = 0 V, Tj = 25 ℃ |
±100 |
nA |
||
コレクタ-エミッタカットオフ電流 |
ICES |
VCE = 4500 V, V GE = 0 V, Tj = 25 ℃ |
0.2 |
mA |
||
ゲート・エミッタ遮断電圧 |
V GE(off) |
IC = 3.0 A, VCE = 5 V, Tj = 25 ℃ |
6.70 |
7.20 |
7.70 |
V |
コレクタ-エミッタ飽和電圧 |
衛星の VCE (衛星) |
IC = 3000 A, V GE = 15 V, Tj = 25 ℃ |
2.10 |
V |
||
IC = 3000 A, V GE = 15 V, Tj = 150 ℃ |
2.60 |
3.05 |
||||
入力容量 |
サイエス |
VCE = 10 V, V GE = 0 V,f = 100 kHz, Tj = 25 ℃ |
402 |
ロープ |
||
スイッチング時間（立ち上がり時間） |
について |
V CC = 2800 V, IC = 3000 A, V GE = ±15 V、RG(on) = 2.2 Ω、RG(off) = 39 Ω、Tj = 150 ℃ (誘導負荷、ダイオード:3000GXHH32、Ls ≈ 300 nH) 図6.1および図6.2を参照 |
— |
0.44 |
— |
μs |
スイッチング時間（ターンオン遅延時間） |
オン (オン) |
— |
0.38 |
— |
μs |
|
スイッチング時間（ターンオン時間） |
トン |
— |
0.82 |
— |
μs |
|
スイッチング時間（フォール時間） |
tF |
— |
2.20 |
— |
μs |
|
スイッチング時間（ターンオフ遅延時間） |
消して |
— |
11.40 |
— |
μs |
|
スイッチング時間（ターンオフ時間） |
toff |
— |
13.60 |
— |
μs |
|
ターンオンスイッチング損失 |
エオン |
— |
8.00 |
— |
J |
|
切断切換損失 |
E OFF |
— |
20.00 |
— |
J |
|
短絡パルス幅 |
tpsc |
V CC = 3400 V, V GE = ±15 V, RG(on) = 2.2 Ω , RG(off) = 39 Ω , Ls ≈ 150 nH Tj = 125 ℃ |
— |
— |
10 |
μs |
回路構成
概要
設備の整った研究所
当社には整備された試験用ラボがあり、製品の品質を厳しく管理しています。これにより、顧客に納入する製品の合格率が100％になることを確実にしています。
自動化された現代工場
最新の自動化工場により、当社製品のすべての性能指標が非常に一貫しており、各製品のパラメータの差異を最小限に抑えることができます。これにより、製品の信頼性と一貫性を保証するだけでなく、顧客の設備が安全かつ確実に運転されることの重要な保証にもなっています。
十分な生産能力
メーカーの強い総合的な実力と十分な生産能力により、すべての注文の納期を確実に守ることができます。
適用事例：
世界初の完全な故障自己回復機能を備えたVSC-HVDC
顧客が痛みを感じるポイント
| 課題 | 当社のソリューション | イノベーション |
| 低温による故障 | 銀焼結ダイアタッチ（-50℃での安定動作） | 素材：有機接着剤を排除 |
| 銅-モリブデン複合ベースプレート（Siチップにマッチした熱膨張係数） | ||
| 振動による損傷 | スプリング式プレスパック（機械的圧力30kN） | 構造：はんだゼロ設計 |
| IEC 60068-3-8振動試験合格（10g/2000Hz、20サイクル） | ||
| スローメンテナンス | ホットスワップ可能なカートリッジ設計（工具不要・8分で交換） | 特許：CN202310XXXXXX |
| FWDスイッチング損失 | Si-FRDハイブリッドダイオード（Qrr=38μC vs. 75μCの競合品） | エネルギー：ターンオフ損失が20%低減 |
数値化された結果（2021-2024）
✅ -38.5℃でのコールドスタート失敗率0%（2023年、極端な天候）
✅ 振動関連故障：3年後において0%（旧システムは5.2%）
✅ 保守による停止時間：89%削減（年間170万ドルの節約）
✅ システム効率：99.28%（500kV VSC-HVDCにおける世界記録）
すべての環境データは中国公式政府報告書から引用
誇張なし：張北（チャンベイ）は寒冷地かつ地震リスク地域ですが、「活断層帯」ではありません
第三者機関による検証
当社を選ぶ理由
北京World E Toテクノロジー社は、IGBTモジュール、IGBTディスクリート、IGBTチップ、ADC/DAC、サイリスタなどの半導体製品の中国国内における主要サプライヤーです。CRRC、Starpower、Techsem NARIの各ブランドの正規代理店として、輸出入権限および業界での11年間の経験を持っており、ロシア、UAE、その他のヨーロッパ地域に輸出実績があります。
私たちは製造業者の選定、専門技術チーム、製品品質管理において厳しい基準を設けており、鉄道交通、電力産業、電気自動車、モータードライブインバータ、周波数変換装置などの分野で顧客プロジェクトが円滑に運営されることを保証しています。
一方、顧客の特別なパラメーター要件に応じて、さまざまなサイリスタおよび電源アセンブリをカスタマイズするサポートを行うことも、当社の契約製造のもう一つの重要な要素および強みです。
安全な配送
私たちはトップクラスの国際輸送会社と協力し、輸送のタイムリーな実施を保証しています。
同時に、当社では顧客の要望に応じて納品するすべてのロットを丁寧に梱包し、商品が破損することなく安全に届くことを保証しています。
弊社の専門営業チームがお客様のご相談をお待ちしております。
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