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簡単な紹介
ティリスター/ダイオードモジュール e,MTx800 MFx800 税金 8 00A ,水冷却 ，tECHSEMによって生産されています.
簡単な紹介
ティリスター/ダイオードモジュール e,MTx 800 金融機関 800 ロープ 800，800A ,水冷却 ，tECHSEMによって生産されています.
VRRM,VDRM |
タイプとアウトライン |
|
600V |
MT3 単一の電源 |
MFx800-06-411F3 |
800V |
MT3 単一の電源 |
MFx800-08-411F3 |
1000V |
MT3 単一のデータ |
MFx800-10-411F3 |
1200V |
MT3 単一の電源 |
MFx800-12-411F3 |
1400V |
MT3 単一のデータ |
MFx800-14-411F3 |
1600V |
MTx800-16-411F3 について |
MFx800-16-411F3 |
1800V |
MT3 単一の電源 |
MFx800-18-411F3 |
1800V |
単一のデータ |
|
MTxは,あらゆる種類の MTC MTA , Mtk
MFxは,あらゆる種類の MFC 海外の外交 MFK
特徴
典型的な用途
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シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj( °C ) |
価値 |
ユニット |
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ほんの少し |
タイプ |
マックス |
|||||
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180違う 半正弦波 50Hz 片側冷却,THS=55 °C |
125 |
|
|
800 |
A |
IT(RMS) |
RMSオン状態電流 |
|
|
1256 |
A |
||
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
vDRMおよびVRRMで |
125 |
|
|
45 |
mA |
ITSM |
サージオン状態電流 |
VR=60%VRRM,t=10ms半正弦 |
125 |
|
|
22.0 |
kA |
ポイント |
融解調整のためのI2t |
125 |
|
|
2420 |
103A 2s |
|
VTO |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
0.90 |
V |
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
0.35 |
mΩ |
||
VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=2400A |
25 |
|
|
1.95 |
V |
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
ゲートソース 1.5A tr ≤0.5μs 繰り返し |
125 |
|
|
200 |
A/μs |
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
200 |
mA |
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
ホールディング電流 |
10 |
|
200 |
mA |
||
ラング |
ラッチ電流 |
|
|
1000 |
mA |
||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
125 |
|
|
0.20 |
V |
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.050 |
°C /W |
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
チップごとに単側冷却 |
|
|
|
0.024 |
°C /W |
ヴィソ |
絶縁電圧 |
50Hz,R.M.S,t= 1分,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
端末接続トーク ((M12) |
|
|
12 |
|
16 |
N·m |
設置トルク (M8) |
|
|
10 |
|
12 |
N·m |
|
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
°C |
ワット |
重量 |
|
|
|
3230 |
|
g |
概要 |
411F3 |
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