GD900SGU120C3SN,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=80o C

1350

900

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1800

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =150o C

7.40

kW

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

900

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1800

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

150

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+125

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

2.90

3.35

V

IC=800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

3.60

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

53.1

ロープ

Cres

逆転移転

容量

3.40

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

8.56

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=800A バー G= 1.3Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

90

nS

t バー

昇る時間

81

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

500

nS

t f

秋の時間

55

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

36.8

mJ

Eオフ

切断する

損失

41.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=800A バー G= 1.3Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

115

nS

t バー

昇る時間

92

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

550

nS

t f

秋の時間

66

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

52.5

mJ

Eオフ

切断する

損失

59.4

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =125o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

5200

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V CC =900V,I F =800A

-di/dt=9500A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

56

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

550

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

38.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =900V,I F =800A

-di/dt=9500A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C

148

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

920

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

91.8

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

12

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.19

mΩ

バー θ JC さん

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

16.9

26.2

電力量

バー θ CS

ケースからシンク (IGBT)

ケースからシンク (ダイオードごとに)

19.7

30.6

電力量

バー θ CS

ケースからシンク

6.0

電力量

分

端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1500

g