IGBTモジュール 1200V

GD900SGU120C3SN,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 900A

Brand:

ストアパワー

Spu:

GD900SGU120C3SN

紹介
概要

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール、STARPOWERによって製造されました。1200V 900A。

特徴

NPT IGBT テクノロジー
10μs 短回路能力関連性
低変更による損失
超高速で頑丈な性能アンス
V CE (衛星 ) 持ってるポジティブ温度係数
速くて柔らかい逆回復逆平行FWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な アプリケーション

切り替えモード電源
感電式加熱
電子溶接機

絶対値 最大 レーティング T C =25 o C しない限り違うなら記載

IGBT

シンボル	説明	価値	ユニット
V CES	集合器-放出器の電圧	1200	V
V 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	V
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =80 について o C	1350 900	A について
わかった Cm	パルスコレクター電流 t p =1ms	1800	A について
P D	最大電源消耗 @ T j =150 について o C	7.40	kW

ダイオード

シンボル	説明	価値	ユニット
V RRM	繰り返しのピーク逆電圧	1200	V
わかった F	ダイオード連続前向き賃貸	900	A について
わかった Fm	ダイオード最大順方向電流 t p =1ms	1800	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T jmax	交差点最大温度	150	o C
T ショウジョウ	交差点の動作温度	-40から+125	o C
T STG	保管温度航続距離	-40から+125	o C
V ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t= 1分前	4000	V

IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C		2.90	3.35	V
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =800A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C		3.60		V
V 遺伝子組み換え (tH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C = 16.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25 o C	5.0	6.1	7.0	V
わかった CES	収集家カット -オフ現在	V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25 o C			5.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C			400	nA
C ies	入力容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		53.1		ロープ
C res	逆転移転容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		3.40		ロープ
Q G	ゲートチャージ	V 遺伝子組み換え =- やってる 15...+15V		8.56		微分
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =900V,I C =800A R G = 1.3Ω V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C		90		nS
t r	昇る時間			81		nS
t d (オフ )	切断する遅延時間			500		nS
t f	秋の時間			55		nS
E on	オンスイッチング損失			36.8		mJ
E オフ	切断する損失			41.3		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =900V,I C =800A R G = 1.3Ω V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C		115		nS
t r	昇る時間			92		nS
t d (オフ )	切断する遅延時間			550		nS
t f	秋の時間			66		nS
E on	オンスイッチング損失			52.5		mJ
E オフ	切断する損失			59.4		mJ
わかった SC	SC データ	t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =125 について o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V		5200		A について

ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C		1.95	2.40	V
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =800A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C		1.95		V
Q r	回収された電荷	V CC =900V,I F =800A -di/dt=9500A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C		56		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			550		A について
E レス	逆転回復エネルギー			38.7		mJ
Q r	回収された電荷	V CC =900V,I F =800A -di/dt=9500A/μs,V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125o C		148		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			920		A について
E レス	逆転回復エネルギー			91.8		mJ

モジュール 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力		12		nH
R CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		0.19		mΩ
R θ JC さん	ケース対ケース (IGBごとに) T) について交差点 (Dあたり) ヨード)			16.9 26.2	電力量
R θ CS	ケースからシンク (IGBT) ケースからシンク (ダイオードごとに)		19.7 30.6		電力量
R θ CS	ケースからシンク		6.0		電力量
M	端末接続トークスクロールM4 端子接続トルク、スクロール M8 固定トーク六角ボルトM6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.M<br>
G	重量のモジュール		1500		g