IT(AV) |
2800A |
VDRM,VRRM |
8000V 8500V |
主な特徴 ：
典型的な用途 ：
|
シンボル |
特長 |
試験条件 |
Tj(℃ ) |
価値 |
単位 |
|||
分 |
種類 |
最大 |
||||||
|
IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180。半正弦波 50Hz 両面冷却 |
TC=70 。C |
115 |
|
|
2000 |
A |
Idrm Irrm |
繰り返しピーク電流 |
at VDRM tp= 10ms at VRRM tp= 10ms |
115 |
|
|
600 |
mA |
|
ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms半正弦波 VR=0.6VRRM |
115 |
|
|
35 |
kA |
|
ポイント |
融解調整のためのI2t |
|
|
6125 |
103A2s |
|||
VTO |
限界電圧 |
|
115 |
|
|
1.32 |
V |
|
ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
0.52 |
mΩ |
|||
VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM= 1500A、F=90kN |
25 |
|
|
2.00 |
V |
|
dv/dt |
オフステート電圧の急激な上昇率 |
VDM=0.67VDRM |
115 |
|
|
2000 |
V/μs |
|
di/dt |
オン状態の電流の上昇の臨界速度 |
VDM=67%VDRM、 ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
115 |
|
|
200 |
A/μs |
|
Qrr |
リカバリーチャージ |
ITM=2000A、tp=4000μs、di/dt=-5A/μs、VR=50V |
115 |
|
5000 |
|
微分 |
|
IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
|
Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
|||
IH |
ホールディング電流 |
25 |
|
200 |
mA |
|||
VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
115 |
|
|
0.3 |
V |
|
Rth(j-c) |
ジャンクションからケースへの熱抵抗 |
双面冷却 固定力 90kN |
|
|
|
0.0057 |
。C /W |
|
Rth(c-h) |
ケースからヒートシンクまでの熱抵抗 |
|
|
|
0.0015 |
|||
Fm |
取り付け力 |
|
|
81 |
90 |
108 |
kN |
|
Tvj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
115 |
℃ |
|
ターゲット・ストーブ |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
|
ワット |
重量 |
|
|
|
2500 |
|
g |
|
概要 |
KT100dT |
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