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4500V 2000A
簡単な紹介：
YTによるカスタマイズ生産、StakPakパッケージ、FWD付きIGBTモジュール。
特徴
応用
最大 率定 バリュー
パラメータ |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
集合器-放出器の電圧 |
V CES |
V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 違う C |
4500 |
V |
DC コレクタ 銅 rrent |
わかった C |
T C =100 違う C,T vj =125 について 違う C |
2000 |
A |
ピークコレクタ電流 |
わかった Cm |
t p =1ms |
4000 |
A |
ゲート -エミッタ 圧力は |
V 総エネルギー |
|
± 20 |
V |
総 電力 散熱 |
P tot |
T C =25 違う C,T vj =125 について 違う C |
20800 |
W について |
DC フォワード Cu rrent |
わかった F |
|
2000 |
A |
頂点 フォワード Cur 賃貸 |
わかった FRM |
t p =1ms |
4000 |
A |
サージ電流 |
わかった FSM |
V R =0V,T vj =125 について 違う C, t p =10ms,半正弦波 |
14000 |
A |
IGBT 短絡 SOA |
t psc |
V CC =3400V, V 単数 チップ ≤4500V V 遺伝子組み換え ≤15V,T vj ≤125 違う C |
10 |
μs |
最大接合 温度 |
T vj (マックス ) |
|
125 |
°C |
接合 動作温度 |
T vj (op ) |
|
-40~125 |
°C |
ケース温度 |
T C |
|
-40~125 |
°C |
保管温度 |
T sTG |
|
-40~70 |
°C |
取り付け力 |
F M |
|
60~75 |
kN |
IGBT 特性値
パラメータ |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
|||
分。 |
タイプする |
マックス。 |
|||||
コレクタ-エミッタ破壊電圧 |
特別特別特別特別特別 |
VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃ |
4500 |
|
|
V |
|
コレクタ-エミッタ飽和電圧 |
衛星の VCE (衛星) |
IC=2000A, VGE=15V |
Tvj=25℃ |
|
2.70 |
3.05 |
V |
Tvj=125℃ |
|
3.35 |
3.85 |
V |
|||
コレクタ-エミッタカットオフ電流 |
ICES |
VCE=4500V, VGE=0V |
Tvj=25℃ |
|
|
1 |
mA |
Tvj=125℃ |
|
15 |
100 |
mA |
|||
ゲート-エミッタリーク電流 |
ゲノム |
VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃ |
-500 |
|
500 |
nA |
|
ゲート-エミッタ閾値電圧 |
総額は |
IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃ |
6.7 |
|
7.7 |
V |
|
ゲートチャージ |
司令部 |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V |
|
10 |
|
微分 |
|
入力容量 |
サイエス |
VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃ |
|
213 |
|
ロープ |
|
輸出容量 |
コース |
|
15.3 |
|
ロープ |
||
逆転移容量 |
クレス |
|
4.7 |
|
ロープ |
||
内部ゲート抵抗 |
RGint について |
|
|
0 |
|
ω |
|
オンする遅延時間 |
オン (オン) |
IC=2000A, VCE=2800V, VGE=±15V, RGon=1.8Ω, RGoff=8.2Ω, Cge=330nF, LS=140nH, 感应負荷 |
Tvj=25℃ |
|
1100 |
|
nS |
Tvj=125℃ |
|
900 |
|
nS |
|||
昇る時間 |
について |
Tvj=25℃ |
|
400 |
|
nS |
|
Tvj=125℃ |
|
450 |
|
nS |
|||
オフ遅延時間 |
消して |
Tvj=25℃ |
|
3800 |
|
nS |
|
Tvj=125℃ |
|
4100 |
|
nS |
|||
秋の時間 |
tF |
Tvj=25℃ |
|
1200 |
|
nS |
|
Tvj=125℃ |
|
1400 |
|
nS |
|||
オンスイッチングエネルギー |
エオン |
Tvj=25℃ |
|
14240 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
15730 |
|
mJ |
|||
オフスイッチングエネルギー |
オーフ |
Tvj=25℃ |
|
6960 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
8180 |
|
mJ |
|||
短絡電流 |
短絡電流 |
VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃ VCEM チップ≤4500V |
|
8400 |
|
A |
|
ダイオード特性値
パラメータ |
シンボル |
条件 |
価値 |
ユニット |
|||
分。 |
タイプする |
マックス。 |
|||||
順方向電圧 |
VF について |
IF=2000A |
Tvj=25℃ |
|
2.60 |
|
V |
Tvj=125℃ |
|
2.85 |
|
V |
|||
逆回復電流 |
Irr |
IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH, 感应負荷 |
Tvj=25℃ |
|
1620 |
|
A |
Tvj=125℃ |
|
1970 |
|
A |
|||
逆回復電荷 |
Qrr |
Tvj=25℃ |
|
1750 |
|
uC |
|
Tvj=125℃ |
|
2700 |
|
uC |
|||
逆回復時間 |
trr |
Tvj=25℃ |
|
4.0 |
|
米国 |
|
Tvj=125℃ |
|
5.1 |
|
米国 |
|||
逆回復エネルギー損失 |
エレック |
Tvj=25℃ |
|
2350 |
|
mJ |
|
Tvj=125℃ |
|
3860 |
|
mJ |
|||
回路構成
概要
設備の整った研究所
我々は試験用の設備の整った研究所を持っており、品質を厳しく管理しています。 製品 これにより、顧客に納品する製品の合格率が100%に達成されることを保証します。
自動化された現代工場
最新の自動化工場により、当社製品のすべての性能指標が非常に一貫しており、各製品のパラメータの差異を最小限に抑えることができます。これにより、製品の信頼性と一貫性を保証するだけでなく、顧客の設備が安全かつ確実に運転されることの重要な保証にもなっています。
十分な生産能力
メーカーの強い総合的な実力と十分な生産能力により、すべての注文の納期を確実に守ることができます。
適用事例：
推進駆動のアップグレード 原子力砕氷船 （60MWシステム） .
顧客が痛みを感じるポイント
YT2000ASW45CZの海軍規格対応ソリューション
| 課題 | テクノロジー革新 | 認証証明 |
| 低温による故障 | 銀焼結ダイアタッチ (-55℃動作) | 素材：有機接着剤を排除 |
| 氷の衝撃に耐える設計 | チタン合金製プレスパック＋多段式ダンパー（15g振動耐性） | IEC 60068-3-8試験合格：8g/80Hz |
| 腐食に強い | 金メッキ端子＋気密構造（IP6K9K） | MIL-STD-810H 塩水噴霧試験を通過 |
| 空間最適化 | 両面冷却→標準モジュール比で40％小型化 | Lloyd's Register型式承認 |
運転結果：
第三者機関による検証
当社を選ぶ理由
北京World E Toテクノロジー社は、IGBTモジュール、IGBTディスクリート、IGBTチップ、ADC/DAC、サイリスタなどの半導体製品の中国国内における主要サプライヤーです。CRRC、Starpower、Techsem NARIの各ブランドの正規代理店として、輸出入権限および業界での11年間の経験を持っており、ロシア、UAE、その他のヨーロッパ地域に輸出実績があります。
私たちは製造業者の選定、専門技術チーム、製品品質管理において厳しい基準を設けており、鉄道交通、電力産業、電気自動車、モータードライブインバータ、周波数変換装置などの分野で顧客プロジェクトが円滑に運営されることを保証しています。
一方、顧客の特別なパラメーター要件に応じて、さまざまなサイリスタおよび電源アセンブリをカスタマイズするサポートを行うことも、当社の契約製造のもう一つの重要な要素および強みです。
安全な配送
私たちはトップクラスの国際輸送会社と協力し、輸送のタイムリーな実施を保証しています。
同時に、当社では顧客の要望に応じて納品するすべてのロットを丁寧に梱包し、商品が破損することなく安全に届くことを保証しています。
弊社の専門営業チームがお客様のご相談をお待ちしております。
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