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LGM25RCP12F2Mは、独自の知的財産権を有するPIMトポロジーモジュールであり、優れた性能を備えており、モータードライブおよびサーボドライブなどの用途に適しています。
主な特徴
典型的な用途
| シンボル | 試験条件 | バリュー | ユニット |
| 総額 | Tj=25°C | 1200 | V |
| ICDC | TC=25°C | 37 | A |
| TC=100°C | 25 | A | |
| ICRM | tp=1ms | 50 | A |
| VGES | -- | ±20 | V |
| Ptot | 156 | W について |
IGBT、電気的パラメータ
| シンボル | 試験条件 | ほんの少し | 典型的な | マックス | ユニット | |
| VCEsat | IC = 25A、VGE = 15V、Tj = 25°C | -- | 2.3 | 2.6 | V | |
| IC = 25A、VGE = 15V、Tj = 125°C | -- | 2.3 | -- | |||
| VGEth | IC = 2mA、VGE = VCE、Tj = 25°C | 5.4 | -- | 7.4 | V | |
| ICES | VCE = 1200V、VGE = 0V、Tj = 25°C | -- | -- | 0.5 | mA | |
| VCE = 1200V、VGE = 0V、Tj = 125°C | -- | -- | 2 | mA | ||
| ゲノム | VCE = 0V、VGE = ±15V、Tj = 25°C | -500 | -- | 500 | nA | |
| 司令部 | VGE = −15V～+15V、VCE = 200V | -- | 0.17 | -- | µC | |
| サイエス | f = 1 MHz、VCE = 25 V、VGE = 0 V、Tj = 25 °C | -- | 2.2 | -- | ロープ | |
| クレス | -- | 0.1 | -- | |||
| オン (オン) | IC=25A、 | Tj=25°C | -- | 30 | -- | nS |
| Tj=125°C | -- | 35 | -- | nS | ||
| tr | Tj=25°C | -- | 45 | -- | nS | |
| VCE=600V、 | Tj=125°C | -- | 47 | -- | nS | |
| 消して | VGE＝±15V、 | Tj=25°C | -- | 190 | -- | nS |
| Rg=10Ω、 | Tj=125°C | -- | 270 | -- | nS | |
| tF | 誘導性負荷 | Tj=25°C | -- | 90 | -- | nS |
| Tj=125°C | -- | 130 | -- | nS | ||
| エオン | Tj=25°C | -- | 1.85 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 2.6 | -- | mJ | ||
| オーフ | Tj=25°C | -- | 1.4 | -- | mJ | |
| Tj=125°C | -- | 2.1 | -- | mJ | ||
| 短絡電流 | VGE≤15V、VCC=600V、Tj=150°C、tp≤10μs | -- | 100 | -- | A | |
| RthJC | 各IGBTごと | -- | -- | 0.85 | 総量 | |
生産条件および納期
当社ユーザー
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製造プロセスにおける品質管理
厳格な信頼性基準
テクニカルサポート
回路図
パッケージ寸法
はい、各商品について原産地証明書を発行いたします。 注文。
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