GD1200HFX170C3S,IGBTモジュール,大電流IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

2400

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

6.55

kW

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

1200

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

2400

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.25

IC=1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=48.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.6

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

142

ロープ

Cres

逆転移転 容量

3.57

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

11.8

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=1200A バー ゲン =1.5Ω バー ゲッフ =3.3Ω V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L秒 ＝110nH,T vj =25o C

700

nS

t バー

昇る時間

420

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1620

nS

t f

秋の時間

231

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

616

mJ

Eオフ

切断する 損失

419

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=1200A バー ゲン =1.5Ω バー ゲッフ =3.3Ω V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L秒 ＝110nH,T vj =125o C

869

nS

t バー

昇る時間

495

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1976

nS

t f

秋の時間

298

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

898

mJ

Eオフ

切断する 損失

530

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C=1200A バー ゲン =1.5Ω バー ゲッフ =3.3Ω V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L秒 ＝110nH,T vj =150o C

941

nS

t バー

昇る時間

508

nS

t 消して

切断する 遅延時間

2128

nS

t f

秋の時間

321

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

981

mJ

Eオフ

切断する 損失

557

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =1000V,

V 単数 ≤1700V

4800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

IF =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =1200A

－di／dt＝2430A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L秒 ＝110nH,T vj =25o C

217

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

490

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

108

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =1200A

－di／dt＝2070A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L秒 ＝110nH,T vj =125o C

359

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

550

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

165

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =900V,I F =1200A

-di／dt=1970A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L秒 ＝110nH,T vj =150o C

423

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

570

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

200

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.37

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

22.9 44.2

電力量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

18.2 35.2 6.0

電力量

分

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1500

g