GD1200HFX170C3S,IGBTモジュール,大電流IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

1965

1200

A

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p =1ms

2400

A

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 o C

6.55

kW

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1700

V

わかった F

ダイオード 連続前向きCu rrent

1200

A

わかった Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

2400

A

シンボル

説明

価値

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.85

2.30

V

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

2.25

わかった C =1200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

2.35

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =48.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

5.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.6

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が25Vで,f=100KHzで, V 遺伝子組み換え =0V

142

ロープ

C res

逆転移転 容量

3.57

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

11.8

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =1200A R ゲン =1.5Ω R ゲッフ =3.3Ω V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L S ＝110nH,T vj =25 o C

700

nS

t r

昇る時間

420

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1620

nS

t f

秋の時間

231

nS

E on

オン スイッチング 損失

616

mJ

E オフ

切断する 損失

419

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =1200A R ゲン =1.5Ω R ゲッフ =3.3Ω V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L S ＝110nH,T vj =125 について o C

869

nS

t r

昇る時間

495

nS

t 消して

切断する 遅延時間

1976

nS

t f

秋の時間

298

nS

E on

オン スイッチング 損失

898

mJ

E オフ

切断する 損失

530

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =900V,I C =1200A R ゲン =1.5Ω R ゲッフ =3.3Ω V 遺伝子組み換え ＝－10／＋15V,

L S ＝110nH,T vj =150 について o C

941

nS

t r

昇る時間

508

nS

t 消して

切断する 遅延時間

2128

nS

t f

秋の時間

321

nS

E on

オン スイッチング 損失

981

mJ

E オフ

切断する 損失

557

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について o C ,V CC =1000V,

V 単数 ≤1700V

4800

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25 o C

1.80

2.25

V

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C

1.90

わかった F =1200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C

1.95

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =1200A

－di／dt＝2430A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L S ＝110nH,T vj =25 o C

217

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

490

A

E レス

逆転回復 エネルギー

108

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =1200A

－di／dt＝2070A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L S ＝110nH,T vj =125 について o C

359

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

550

A

E レス

逆転回復 エネルギー

165

mJ

Q r

回収された電荷

V R =900V,I F =1200A

-di／dt=1970A／μs,V 遺伝子組み換え ＝－10V, L S ＝110nH,T vj =150 について o C

423

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

570

A

E レス

逆転回復 エネルギー

200

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

L CE

流れる誘導力

20

nH

R CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.37

mΩ

R thJC

接合 -〜に至るまで -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

22.9 44.2

電力量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

18.2 35.2 6.0

電力量

M

端末接続トーク スクロールM4 端末接続トーク スクロール M8 固定トーク 六角ボルトM6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.M<br>

G

重量 の モジュール

1500

g