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IGBT ディスクレート

IGBT ディスクレート

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DG25X12T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

1200V,25A

Brand:
ストアパワー
  • 紹介
紹介

優しい思い出 :F またはそれ以上 IGBT ディスクレート , メールを送ってください。

特徴

  • 低VCE (座っている) IGBT テクノロジー
  • 10μs短回路能力
  • 低切換損失
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 衛星の VCE (衛星) 持ってる ポジティブ 温度 係数
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • 鉛のないパッケージ

典型的な アプリケーション

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

絶対値 最大 レーティング T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

IGBT

シンボル

説明

価値

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C

@ T C = 110o C

50

25

A について

わかった Cm

パルスコレクター電流 t p t によって制限される jmax

100

A について

P D

最大電源 消耗 @ T j =175 o C

573

W について

ダイオード

シンボル

説明

価値

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

わかった F

ダイオード 連続前流 @ T C = 110o C

25

A について

わかった Fm

ダイオード 最大 フォワード 現在 t p 限定された by T jmax

100

A について

機密

シンボル

説明

バリュー

ユニット

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度 航続距離

-55から+150

o C

T S

はんだ付け温度,1.6mm ケースから のために 10s

260

o C

M

固定トーク ネジ M3

0.6

N.M<br>

IGBT 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

わかった C =25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =25 o C

1.70

2.15

V

わかった C =25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =125 について o C

1.95

わかった C =25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C

2.00

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =0.63 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ

現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

2.59

ロープ

C res

逆転移転

容量

0.07

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

0.19

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =25A, R G =20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25 o C

28

nS

t r

昇る時間

17

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

196

nS

t f

秋の時間

185

nS

E on

オン スイッチング

損失

1.71

mJ

E オフ

切断する

損失

1.49

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =25A, R G =20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125 について o C

28

nS

t r

昇る時間

21

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

288

nS

t f

秋の時間

216

nS

E on

オン スイッチング

損失

2.57

mJ

E オフ

切断する

損失

2.21

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =25A, R G =20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150 について o C

28

nS

t r

昇る時間

22

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

309

nS

t f

秋の時間

227

nS

E on

オン スイッチング

損失

2.78

mJ

E オフ

切断する

損失

2.42

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150 について o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

100

A について

ダイオード 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

わかった F =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25 o C

2.20

2.65

V

わかった F =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

2.30

わかった F =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

2.25

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25 o C

1.43

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

34

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

0.75

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125o C

2.4

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

42

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

1.61

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150o C

2.6

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

44

A について

E レス

逆転回復 エネルギー

2.10

mJ

機密 特徴 T C =25 o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.262

0.495

総量

R

接続と環境

40

総量

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