すべてのカテゴリ
お問い合わせ

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000

IGBT ディスクレート

IGBT ディスクレート

ホーム/製品一覧/IGBTモジュール/IGBTディスクリート

DG25X12T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

1200V,25A

Brand:
ストアパワー
  • ご案内
ご案内

優しい思い出 :F メールを送ってください.

主な特長

  • 低VCE (座っている) IGBT テクノロジー
  • 10μs短回路能力
  • 低切換損失
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 衛星の VCE (衛星) とともに ポジティブ 温度 係数
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • 鉛のないパッケージ

典型的な 用途

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

絶対値 最大の レーティング T C=25o C しない限り 違うなら 記載

IGBT

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

ICm

パルスコレクター電流 t p t によって制限される jmax

100

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

573

W

ダイオード

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前流 @ T C= 110o C

25

A

IFm

ダイオード 最大の フォワード 現在の t p 限定的 著者: T jmax

100

A

機密

シンボル

説明

バリュー

単位

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度 航続距離

-55から+150

o C

T

はんだ付け温度,1.6mm ケースから のために 10s

260

o C

固定トーク ネジ M3

0.6

N.M<br>

IGBT 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =125o C

1.95

IC=25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=0.63mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

2.59

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.07

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

0.19

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

28

nS

t バー

昇る時間

17

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

196

nS

t f

秋の時間

185

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

1.71

mJ

Eオフ

切断する

損失

1.49

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

28

nS

t バー

昇る時間

21

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

288

nS

t f

秋の時間

216

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.57

mJ

Eオフ

切断する

損失

2.21

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

28

nS

t バー

昇る時間

22

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

309

nS

t f

秋の時間

227

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.78

mJ

Eオフ

切断する

損失

2.42

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

100

A

ダイオード 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

IF =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

2.30

IF =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

2.25

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.43

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

34

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

0.75

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125o C

2.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

42

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

1.61

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150o C

2.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

44

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

2.10

mJ

機密 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.262

0.495

総量

バー

接続と環境

40

総量

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000

関連製品

製品について質問がありますか?

当社のプロフェッショナルな営業チームが、お問い合わせをお待ちしています。
商品リストをご覧になり 気になる質問をしてください

お問い合わせ

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000