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IGBT ディスクレート

IGBT ディスクレート

ホーム/製品/IGBTモジュール/IGBTディスクリート

DG25X12T2、IGBTディスクリート、STARPOWER

1200V,25A

Brand:
ストアパワー
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主な特徴

  • 低VCE (座っている) 溝 IGBT テクノロジー
  • 10μs短回路能力
  • 低切換損失
  • 最大接合温度 175oC
  • 低感受性ケース
  • 衛星の VCE (衛星) とともに ポジティブ 温度 係数
  • 速くて柔らかい逆回復 対称性のないFWD
  • 鉛のないパッケージ

典型的な アプリケーション

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

絶対値 最大の レーティング T C=25o C しない限り 違うなら 記載

IGBT

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

私 C

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 110o C

50

25

A

私 Cm

パルスコレクター電流 t p t によって制限される jmax

100

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

573

W

ダイオード

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

私 F

ダイオード 連続前流 @ T C= 110o C

25

A

私 Fm

ダイオード 最大の フォワード 現在の t p 限定的 著者: T jmax

100

A

機密

シンボル

説明

バリュー

単位

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から175

o C

T STG

保管温度 航続距離

-55から+150

o C

T 秒

はんだ付け温度,1.6mm ケースから のために 10s

260

o C

分

固定トーク ネジ M3

0.6

N.M<br>

IGBT 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

私 C=25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =25o C

1.70

2.15

V

私 C=25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =125o C

1.95

私 C=25A, V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

私 C=0.63mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

私 CES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

私 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

2.59

ロープ

Cres

逆転移転

容量

0.07

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

0.19

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

28

nS

t バー

昇る時間

17

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

196

nS

t f

秋の時間

185

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

1.71

mJ

Eオフ

切断する

損失

1.49

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

28

nS

t バー

昇る時間

21

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

288

nS

t f

秋の時間

216

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.57

mJ

Eオフ

切断する

損失

2.21

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

28

nS

t バー

昇る時間

22

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

309

nS

t f

秋の時間

227

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

2.78

mJ

Eオフ

切断する

損失

2.42

mJ

私 SC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

100

A

ダイオード 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

私 F =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

2.20

2.65

V

私 F =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

2.30

私 F =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

2.25

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.43

微分

私 ロープ

ピーク逆

回復電流

34

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

0.75

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125o C

2.4

微分

私 ロープ

ピーク逆

回復電流

42

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

1.61

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =25A,

-di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150o C

2.6

微分

私 ロープ

ピーク逆

回復電流

44

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

2.10

mJ

機密 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.262

0.495

総量

バー ザ

接続と環境

40

総量

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