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主な特長
典型的な 用途
絶対値 最大の レーティング T C=25o C しない限り 違うなら 記載
IGBT
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
IC |
コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C= 110o C |
50 25 |
A |
ICm |
パルスコレクター電流 t p t によって制限される jmax |
100 |
A |
PD |
最大電源 消耗 @ T j =175o C |
573 |
W |
ダイオード
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
V RRM |
繰り返しのピーク逆電圧 |
1200 |
V |
IF |
ダイオード 連続前流 @ T C= 110o C |
25 |
A |
IFm |
ダイオード 最大の フォワード 現在の t p 限定的 著者: T jmax |
100 |
A |
機密
シンボル |
説明 |
バリュー |
単位 |
T ショウジョウ |
交差点の動作温度 |
-40から175 |
o C |
T STG |
保管温度 航続距離 |
-55から+150 |
o C |
T 秒 |
はんだ付け温度,1.6mm ケースから のために 10s |
260 |
o C |
分 |
固定トーク ネジ M3 |
0.6 |
N.M<br> |
IGBT 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
|
V 衛星 |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
IC=25A, V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
|
IC=25A, V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C |
|
1.95 |
|
|||
|
IC=25A, V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C |
|
2.00 |
|
|||
V 遺伝子組み換え (th) |
ゲート発信者の限界値 電圧 |
IC=0.63mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
収集家 切断 —オフ 現在の |
V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
I総エネルギー |
ゲート発射器の漏れ 現在の |
V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
バー ゲント |
内部ゲート抵抗 アンス |
|
|
0 |
|
ω |
Cies |
入力容量 |
V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V |
|
2.59 |
|
ロープ |
Cres |
逆転移転 容量 |
|
0.07 |
|
ロープ |
|
QG |
ゲートチャージ |
V 遺伝子組み換え =-15...+15V |
|
0.19 |
|
微分 |
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C |
|
28 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
17 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
196 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
185 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
1.71 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
1.49 |
|
mJ |
|
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C |
|
28 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
21 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
288 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
216 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
2.57 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
2.21 |
|
mJ |
|
t d (オン ) |
オンする遅延時間 |
V CC =600V,I C=25A, バー G=20Ω,V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C |
|
28 |
|
nS |
t バー |
昇る時間 |
|
22 |
|
nS |
|
t d (オフ ) |
切断する 遅延時間 |
|
309 |
|
nS |
|
t f |
秋の時間 |
|
227 |
|
nS |
|
Eオン |
オン スイッチング 損失 |
|
2.78 |
|
mJ |
|
Eオフ |
切断する 損失 |
|
2.42 |
|
mJ |
|
|
ISC |
SC データ |
t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V |
|
100 |
|
A |
ダイオード 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
|
V F |
ダイオード 前向き 電圧 |
IF =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C |
|
2.20 |
2.65 |
V |
IF =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C |
|
2.30 |
|
|||
IF =25A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C |
|
2.25 |
|
|||
Qバー |
回収された電荷 |
V バー =600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C |
|
1.43 |
|
微分 |
Iロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
34 |
|
A |
|
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
|
0.75 |
|
mJ |
|
Qバー |
回収された電荷 |
V バー =600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125o C |
|
2.4 |
|
微分 |
Iロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
42 |
|
A |
|
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
|
1.61 |
|
mJ |
|
Qバー |
回収された電荷 |
V バー =600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150o C |
|
2.6 |
|
微分 |
Iロープ |
ピーク逆 回復電流 |
|
44 |
|
A |
|
Eレス |
逆転回復 エネルギー容量 |
|
2.10 |
|
mJ |
機密 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
バー thJC |
ケース対ケース (IGBごとに) T) について ケースへの接点 (DIあたり) オーデ) |
|
|
0.262 0.495 |
総量 |
バー ザ |
接続と環境 |
|
40 |
|
総量 |
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