GD200CEX120C8SN,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

ICRM

繰り返す 頂点 収集家 現在の tp 限定的 著者： T バイト

400

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

1293

W

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード連続フォワード電流 エント

200

A

IFRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在の tp 限定的 著者： T バイト

400

A

シンボル

説明

バリュー

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.75

2.20

V

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

2.00

IC=200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.05

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=8.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

18.6

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.52

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

1.40

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=2.0Ω、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =±15V, T vj =25o C

140

nS

t バー

昇る時間

31

nS

t 消して

切断する 遅延時間

239

nS

t f

秋の時間

188

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

11.2

mJ

Eオフ

切断する 損失

13.4

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=2.0Ω、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =±15V, T vj =125o C

146

nS

t バー

昇る時間

36

nS

t 消して

切断する 遅延時間

284

nS

t f

秋の時間

284

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

19.4

mJ

Eオフ

切断する 損失

18.9

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=200A, バー G=2.0Ω、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =±15V, T vj =150o C

148

nS

t バー

昇る時間

37

nS

t 消して

切断する 遅延時間

294

nS

t f

秋の時間

303

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

21.7

mJ

Eオフ

切断する 損失

19.8

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

IF =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

20.0

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

220

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

7.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

34.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

209

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

12.9

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

38.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

204

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

14.6

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.116 0.185

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.150 0.239 0.046

総量

分

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M<br>

G

重量 の モジュール

200

g