GD200CEX120C8SN,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

わかった C

コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C

363

200

A

わかった CRM

繰り返す 頂点 収集家 現在 tp 限定された によって T バイト

400

A

P D

最大電源 消耗 @ T vj =175 o C

1293

W について

シンボル

説明

バリュー

ユニット

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

わかった F

ダイオード連続フォワード電流 エント

200

A

わかった FRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在 tp 限定された によって T バイト

400

A

シンボル

説明

バリュー

ユニット

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

1.75

2.20

V

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

2.00

わかった C =200A、V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

2.05

V 遺伝子組み換え (tH )

ゲート発信者の限界値 圧力は

わかった C =8.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

わかった CES

収集家 カット -オフ 現在

V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C

1.0

mA

わかった 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在

V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C

400

nA

R ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.0

ω

C ies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

18.6

ロープ

C res

逆転移転 容量

0.52

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

1.40

微分

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =±15V, T vj =25 o C

140

nS

t r

昇る時間

31

nS

t 消して

切断する 遅延時間

239

nS

t f

秋の時間

188

nS

E on

オン スイッチング 損失

11.2

mJ

E オフ

切断する 損失

13.4

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =±15V, T vj =125 について o C

146

nS

t r

昇る時間

36

nS

t 消して

切断する 遅延時間

284

nS

t f

秋の時間

284

nS

E on

オン スイッチング 損失

19.4

mJ

E オフ

切断する 損失

18.9

mJ

t d (on )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C =200A, R G =2.0Ω、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =±15V, T vj =150 について o C

148

nS

t r

昇る時間

37

nS

t 消して

切断する 遅延時間

294

nS

t f

秋の時間

303

nS

E on

オン スイッチング 損失

21.7

mJ

E オフ

切断する 損失

19.8

mJ

わかった SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

800

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 圧力は

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C

1.85

2.30

V

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C

1.90

わかった F =200A、V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C

1.95

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=5710A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C

20.0

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

220

A

E レス

逆転回復 エネルギー

7.5

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4740A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C

34.3

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

209

A

E レス

逆転回復 エネルギー

12.9

mJ

Q r

回収された電荷

V R =600V,I F =200A,

-di/dt=4400A/μs、Ls=50nH、 V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C

38.7

微分

わかった ロープ

ピーク逆

回復電流

204

A

E レス

逆転回復 エネルギー

14.6

mJ

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

ユニット

R thJC

接合 -〜に至るまで -事例 (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.116 0.185

総量

R thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.150 0.239 0.046

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク スクロール M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M<br>

G

重量 の モジュール

200

g