IGBTモジュール、YMIF1200-45、単一スイッチIGBT、CRRC

総額

4500

V

衛星の VCE (衛星)

（典型）

2.30

V

集積回路

(最大)

1200

A

ICRM）

(最大)

2400

A

符号
（記号）

参数名
（パラメータ）

テスト条件
（試験条件）

数値
（値）

単 位
（単位）

総額

集電極 -発射極電圧
集合器-放出器の電圧

VGE=0V、Tvj=25℃

4500

V

VGES

ゲート -発射極電圧
ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

集積回路

集電極電流
集合器-放出器の電圧

Tvj=125℃、Tcase=85℃

1200

A

IC(PK)

集電极峰值電流
ピークコレクタ電流

1ミリ秒

2400

A

総量

トランジスタ部分最大損失

最大トランジスタ電力損失

Tvj=125℃、Tcase=25℃

12.5

kW

I²t

ダイオード ²t 值
ダイオード I2t

VR=0V、tp=10ms、Tvj=125℃

530

kA²s

Visol

绝缘電圧 (模块 )

モジュールごとの絶縁電圧

短接 すべての端子,端子と基板間への電圧加熱
（ベースプレートに共通端子）
AC RMS、1分、50Hz

10200

V

QPD

局部放電電荷 (模块 )
モジュールごとの部分放電

IEC1287.V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

爬電距離

漏れ距離

56mm

絶縁間隙

クリアランス

26mm

耐漏電起痕指数

CTI（クリティカルトラッキングインデックス）

600

熱および機械データ

符号
（記号）

参数名
（パラメータ）

テスト条件
（試験条件）

最小
（最小）

最大
(最大)

単 位
（単位）

Rh（J-C）IGBT

英国 結晶ケース熱抵抗

熱抵抗-IGBT

結壳恒定功耗
連続放散-接合からケース

8

電力量

Rh（J-C）ダイオード

二極管結壳熱抵抗
熱抵抗-ダイオード

結壳恒定功耗
連続放散-接合からケース

16

電力量

Rt（C-H）

接触熱抵抗 (模块 )
熱抵抗性
ケースからヒートシンク（モジュールごと）

取り付けトルク 5Nm（ 導熱脂 1W/m · ℃)
取り付けトルク 5Nm
(取り付けグリース付き 1W/m · ℃)

6

電力量

Tv

結温 接合温度

IGBT 部分 (IGBT)

125

°C

ダイオード部分 (Diode)

125

°C

ターゲット・ストーブ

保存温度 保管温度範囲

-40

125

°C

M

取り付けトルク ネジトルク

取り付け固定用 -M6 取り付け -M6

5

Nm

回路相互接続用 -M4
電気接続 -M4

2

Nm

回路相互接続用 -M8
電気接続 -M8

10

Nm

特に記載がない限りTcase=25℃

符号
（記号）

参数名
（パラメータ）

条件
（試験条件）

最 小
（最小）

典型
（典型）

最 大
(最大)

単位
（単位）

ICES

集電極カットオフ電流
コレクターの切断電流

VGE=OV,VcE=VCES

1

mA

VGE=OV,VcE=VCEs,Tcase=125°C

90

mA

ゲノム

ゲートリーク電流
ゲート漏れ電流

VGE=±20V,VcE=0V

1

微分数

総額は

ゲート -エミッタ閾値電圧
ゲート 限界電圧

Ic=120mA,VGE=VCE

5.0

6.0

7.0

V

VCE(sa)

集電極 -エミッタ飽和電圧
コレクター・エミッター飽和度
圧力は

VGE=15V,Ic=1200A

2.3

2.8

V

VGE=15V,Ic=1200A,Tvj=125°C

3.0

3.5

V

IF

ダイオード正方向直流電流
ダイオード前流

DC

1200

A

IFRM

二極管正向繰り返しピーク電流
ダイオード最大順方向電流

tp=1ms

2400

A

vF(1

二極管正向電圧
ダイオード前向き電圧

/F=1200A

2.4

2.9

V

/F=1200A,Tvj=125°C

2.7

3.2

V

サイエス

输入電容量
入力容量

VcE=25V,VGE=OV,f=1MHz

135

ロープ

Q₉

ゲートチャージ
ゲートチャージ

±15V

11.9

微分

クレス

逆伝送容量
逆転移容量

VcE=25V,VGE=0V,f=1MHz

3.4

ロープ

LM

モジュールインダクタンス
モジュール誘導力

10

nH

RINT

内部抵抗
内部トランジスタ抵抗

90

μΩ

短絡電流

短絡電流
短絡電流,Isc

Tvj=125°C,Vcc=3400V,
VGE≤15V,tp≤10μs,
VCE(max)=VCEs-L(2×di/dt,

IEC 60747-9

5300

A

td(of)

オフ遅延時間
オフ遅延時間

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF

L ～ 180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RG(OFF)=2.7Ω

2700

nS

tF

下降時間
秋の時間

700

nS

オーフ

遮断損失
切断時のエネルギー損失

5800

mJ

tdon)

開通遅延時間
オンする遅延時間

720

nS

t

立ち上がり時間
昇る時間

270

nS

エオン

開通損失
オンする時のエネルギー損失

3200

mJ

Qm

二極管逆回復電荷
ダイオード逆回復電荷

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1200

微分

わかった

二極管逆回復電流
ダイオード逆回復電流

1350

A

エレック

二極管逆回復損失
ダイオード逆回復エネルギー

1750

mJ

td(of)

オフ遅延時間
オフ遅延時間

Ic=1200A
VcE=2800V
Cge=220nF
L ～ 180nH
VGE=±15V
RG(ON)=1.5Ω
RGOFF)=2.7Ω

2650

nS

tF

下降時間
秋の時間

720

nS

オーフ

遮断損失
切断時のエネルギー損失

6250

mJ

tdon)

開通遅延時間
オンする遅延時間

740

nS

t

立ち上がり時間
昇る時間

290

nS

エオン

開通損失
オンする時のエネルギー損失

4560

mJ

Q

二極管逆回復電荷
ダイオード逆回復電荷

/F=1200A
VcE=2800V
dip/dt =5000A/us

1980

微分

わかった

二極管逆回復電流
ダイオード逆回復電流

1720

A

エレック

二極管逆回復損失
ダイオード逆回復エネルギー

3250

mJ