すべてのカテゴリ
お問い合わせ

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000

IGBTモジュール 1200V

IGBTモジュール 1200V

ホーム/製品一覧/IGBTモジュール/IGBTモジュール 1200V

GD600HFY120C2S,IGBTモジュール,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
ストアパワー
Spu:
GD600HFY120C2S
  • ご案内
  • 概要
ご案内

概要

IGBT モジュール sTARPOWERによって製造されました。1200V 600A。

主な特長

  • 低V CE (衛星 ) IGBT テクノロジー
  • 10μs 短回路能力 関連性
  • V CE (衛星 ) とともに ポジティブ 温度 係数
  • 最大の 接合温度 175o C
  • 低誘導性 事例
  • 速くて柔らかい逆回復 逆平行FWD
  • 絶縁銅ベースプレート使用 hPS DBC技術

典型的な 用途

  • モータードライブ用インバータ
  • ACおよびDCサーボドライブアンプ
  • 無停電電源装置

絶対値 最大の レーティング T C=25o C しない限り 違うなら 記載

IGBT

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C=100o C

1000

600

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1200

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

3409

W

ダイオード

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

600

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1200

A

モジュール

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1

4000

V

IGBT 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.05

V

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=600A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC= 15.0mA,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.3

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

62.1

ロープ

Cres

逆転移転

容量

1.74

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

4.62

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G=1.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

257

nS

t バー

昇る時間

96

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

628

nS

t f

秋の時間

103

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

37.5

mJ

Eオフ

切断する

損失

51.5

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G=1.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

268

nS

t バー

昇る時間

107

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

659

nS

t f

秋の時間

144

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

53.5

mJ

Eオフ

切断する

損失

77.3

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=600A バー G=1.5Ω

V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

278

nS

t バー

昇る時間

118

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

680

nS

t f

秋の時間

155

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

58.9

mJ

Eオフ

切断する

損失

82.4

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

2400

A

ダイオード 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.65

2.10

V

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.65

IF =600A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.65

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt=5000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25o C

61.4

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

280

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

20.9

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt=5000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 125o C

114

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

415

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

43.1

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =600A

-di/dt=5000A/μs,V 遺伝子組み換え =- 15V T j = 150o C

128

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

443

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

50.0

mJ

モジュール 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

20

nH

バー CC+EE

モジュールリードレジスタ ターミナルからチップへ

0.35

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.044

0.077

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの(per IGBT)

ケースからヒートシンクへの(p er ダイオード)

ケースからヒートシンクへの(per モジュール)

0.031

0.055

0.010

総量

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク 六角ボルトM6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M<br>

G

重量 モジュール

300

g

概要

image(c3756b8d25).png

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000

関連製品

製品について質問がありますか?

当社のプロフェッショナルな営業チームが、お問い合わせをお待ちしています。
商品リストをご覧になり 気になる質問をしてください

お問い合わせ

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000

無料お見積もりを取得

担当者よりすぐにご連絡いたします。
メールアドレス
お名前
会社名
お問い合わせ内容
0/1000