GD300MPX120C6SA,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C

468

300

A

ICRM

繰り返す 頂点 収集家 現在の tp 限定的 著者： T バイト

600

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =175o C

1530

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在の tp 限定的 著者： T バイト

600

A

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

300

A

IFRM

繰り返す 頂点 フォワード 現在の tp 限定的 著者： T バイト

600

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

175

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

1.95

IC=300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=12.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

2.5

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V

31.1

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.87

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V

2.33

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=2.4Ω、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25o C

215

nS

t バー

昇る時間

53

nS

t 消して

切断する 遅延時間

334

nS

t f

秋の時間

205

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

21.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

20.7

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=2.4Ω、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125o C

231

nS

t バー

昇る時間

59

nS

t 消して

切断する 遅延時間

361

nS

t f

秋の時間

296

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

30.1

mJ

Eオフ

切断する 損失

28.1

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=300A バー G=2.4Ω、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =150o C

240

nS

t バー

昇る時間

62

nS

t 消して

切断する 遅延時間

376

nS

t f

秋の時間

311

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

32.9

mJ

Eオフ

切断する 損失

29.9

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =150o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

1200

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =300A

-di/dt=2937A/μs、Ls=70nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =25o C

36.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

235

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

15.7

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =300A

-di/dt=2720A/μs、Ls=70nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =125o C

61.3

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

257

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

27.5

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =300A

-di/dt=2616A/μs、Ls=70nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =150o C

68.8

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

262

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

30.8

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き 電圧

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

IF =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150o C

1.95

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =300A

-di/dt=5683A/μs、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =25o C

36.2

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

290

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

13.4

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =300A

-di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =125o C

56.6

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

301

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

22.2

mJ

Qバー

回収された電荷

V CC =600V,I F =300A

-di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =150o C

65.9

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

306

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

26.3

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

∆R/R

偏差 の バー 100

T C=100 o Cロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2— 半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2— 半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2— 半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

35

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

1.45

mΩ

バー thJC

接合 —～ —事例 (perIGBT —インバーター ) 接合部からケース（ダイオードごと-インバータ用） 用） 接合部からケース（ダイオードごと-3レベル用） 用）

0.098 0.176 0.176

総量

バー thCH

ケースからヒートシンク（IGBTごと-インバータ用） 用） ケースからヒートシンク（ダイオードごと- インバータ用 ケースからヒートシンク（ダイオードごと-3レベル用 レベル) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

0.033 0.059 0.059 0.009

総量

分

端末接続トーク 六角ボルトM6 固定トーク スクロール M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

350

g