GD300MPX120C6SA、IGBTモジュール、STARPOWER

紹介

簡単な紹介

IGBT モジュール ,製造元ストアパワー . 1200V 300A. 本当

特徴

NPT IGBT テクノロジー
10μs短回路能力
低スイッチング損失
陽性温度係数を持つ VCE (sat)
低感受性ケース
速くて柔らかい逆回復対称性のないFWD
DBC技術を用いた隔離銅基板

典型的な用途

太陽光発電
UPS
3レベルアプリケーション

絶対値 最大 レーティング T F =25 o C しない限り違うなら記載

IGBTインバータ

シンボル	説明	価値	ユニット
V CES	集合器-放出器の電圧	1200	V
V 総エネルギー	ゲート・エミッター・ボルト	±20	V
わかった C	コレクタ電流 @ T C =25 o C @ T C =100 o C	468 300	A について
わかった CRM	繰り返す頂点収集家現在 tp 限定された by T バイト	600	A について
P D	最大電源消耗 @ T vj =175 o C	1530	W について

ダイオードインバータ

シンボル	説明	価値	ユニット
V RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	V
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	300	A について
わかった FRM	繰り返す頂点フォワード現在 tp 限定された by T バイト	600	A について

ダイオード-3レベル

シンボル	説明	価値	ユニット
V RRM	繰り返しのピークリバース・ボルト年齢	1200	V
わかった F	ダイオード連続前向きCu rrent	300	A について
わかった FRM	繰り返す頂点フォワード現在 tp 限定された by T バイト	600	A について

モジュール

シンボル	説明	価値	ユニット
T vjmax	交差点最大温度	175	o C
T バイト	交差点の動作温度	-40から+150	o C
T STG	保管温度範囲	-40から+125	o C
V ISO	絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分	2500	V

IGBT -インバーター 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V 衛星	収集機から発信機へ飽和電圧	わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25 o C		1.70	2.15	V
		わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125 について o C		1.95
		わかった C =300A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C		2.00
V 遺伝子組み換え (tH )	ゲート発信者の限界値圧力は	わかった C =12.0 mA ,V CE = V 遺伝子組み換え , T vj =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
わかった CES	収集家カット -オフ現在	V CE = V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25 o C			1.0	mA
わかった総エネルギー	ゲート発射器の漏れ現在	V 遺伝子組み換え = V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25 o C			400	nA
R ゲント	内部ゲート抵抗アンス			2.5		ω
C ies	入力容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		31.1		ロープ
C res	逆転移転容量	V CE 電気回路が1Mhzで V 遺伝子組み換え =0V		0.87		ロープ
Q G	ゲートチャージ	V 遺伝子組み換え =-15 ...+15V		2.33		微分
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =300A R G =2.4Ω、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25 o C		215		nS
t r	昇る時間			53		nS
t 消して	切断する遅延時間			334		nS
t f	秋の時間			205		nS
E on	オンスイッチング損失			21.5		mJ
E オフ	切断する損失			20.7		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =300A R G =2.4Ω、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125 について o C		231		nS
t r	昇る時間			59		nS
t 消して	切断する遅延時間			361		nS
t f	秋の時間			296		nS
E on	オンスイッチング損失			30.1		mJ
E オフ	切断する損失			28.1		mJ
t d (on )	オンする遅延時間	V CC =600V,I C =300A R G =2.4Ω、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =150 について o C		240		nS
t r	昇る時間			62		nS
t 消して	切断する遅延時間			376		nS
t f	秋の時間			311		nS
E on	オンスイッチング損失			32.9		mJ
E オフ	切断する損失			29.9		mJ
わかった SC	SC データ	t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V T vj =150 について o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V		1200		A について

ダイオード -インバーター 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C		1.90
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C		1.95
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =300A -di/dt=2937A/μs、Ls=70nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =25 o C		36.3		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			235		A について
E レス	逆転回復エネルギー			15.7		mJ
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =300A -di/dt=2720A/μs、Ls=70nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =125 について o C		61.3		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			257		A について
E レス	逆転回復エネルギー			27.5		mJ
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =300A -di/dt=2616A/μs、Ls=70nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =150 について o C		68.8		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			262		A について
E レス	逆転回復エネルギー			30.8		mJ

ダイオード -3- レベル 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
V F	ダイオード前向き圧力は	わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =2 5o C		1.85	2.30	V
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125 について o C		1.90
		わかった F =300A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =150 について o C		1.95
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =300A -di/dt=5683A/μs、Ls=35nH、 V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =25 o C		36.2		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			290		A について
E レス	逆転回復エネルギー			13.4		mJ
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =300A -di/dt=4958A/μs,Ls=35nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =125 について o C		56.6		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			301		A について
E レス	逆転回復エネルギー			22.2		mJ
Q r	回収された電荷	V CC =600V,I F =300A -di/dt=4673A/μs,Ls=35nH, V 遺伝子組み換え =-15V,T vj =150 について o C		65.9		微分
わかったロープ	ピーク逆回復電流			306		A について
E レス	逆転回復エネルギー			26.3		mJ

NTC 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	試験条件	分。	タイプする	マックス。	ユニット
R 25	定数抵抗			5.0		kΩ
∆R/R	偏差の R 100	T C =100 o C ロープ 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	電力散熱				20.0	mW
B について 25/50	B値	R 2=R 25経験 [B 25/50 1/T 2- 半角形から		3375		K
B について 25/80	B値	R 2=R 25経験 [B 25/80 1/T 2- 半角形から		3411		K
B について 25/100	B値	R 2=R 25経験 [B 25/100 1/T 2- 半角形から		3433		K

モジュール 特徴 T C =25 o C しない限り違うなら記載

シンボル	パラメータ	分。	タイプする	マックス。	ユニット
L CE	流れる誘導力		35		nH
R CC+EE	モジュール鉛抵抗ターミナルからチップへ		1.45		mΩ
R thJC	接合 -オー -事例 (perIGBT -インバーター ) 接合部からケース（ダイオードごと-インバータ用）用）接合部からケース（ダイオードごと-3レベル用）用）			0.098 0.176 0.176	総量
R thCH	ケースからヒートシンク（IGBTごと-インバータ用）用）ケースからヒートシンク（ダイオードごと- インバータ用ケースからヒートシンク（ダイオードごと-3レベル用レベル) ケースからヒートシンクへの（per モジュール)		0.033 0.059 0.059 0.009		総量
M	端末接続トーク六角ボルトM6 固定トークスクロール M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.M<br>
G	重量のモジュール		350		g