IT(AV) |
2800A について |
VDRM,VRRM |
8000V 8500V |
特徴 ：
典型的な用途 ：
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シンボル |
特徴 |
試験条件 |
Tj(℃ ) |
価値 |
ユニット |
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ほんの少し |
タイプ |
マックス |
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IT(AV) |
平均オン状態電流 |
180。半正弦波 50Hz 両面冷却 |
TC=55 。C |
90 |
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2800 |
A について |
IDRM IRRM |
繰り返しピーク 現在 |
vDRMにて tp= 10ms vRRMで tp= 10ms |
90 |
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700 |
mA |
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ITSM |
サージオン状態電流 |
10ms 半正弦波 VR=0.6VRRM |
90 |
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40 |
kA |
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わかった 2t |
わかった 2融解調整のためのt |
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8000 |
103A について 2s |
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VTO |
限界電圧 |
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90 |
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0.92 |
V |
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ロープ |
オン状態スロープ抵抗 |
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0.32 |
mΩ |
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VTM |
ピークオン状態電圧 |
ITM=3000A、 F= 120kN |
25 |
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1.95 |
V |
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dv/dt |
臨界上昇率 o オフ状態の周波数 圧力は |
VDM=0.67VDRM |
90 |
|
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2000 |
V/μs |
|
di/dt |
臨界上昇率 e 臨界上昇率 現在 |
VDM=67%VDRM、 ゲートパルス tr ≤0.5μs IGM= 1.5A |
90 |
|
|
100 |
A/μs |
|
Qrr |
リカバリーチャージ |
ITM=2000A、tp=4000μs、 di/dt=-5A/μs、 VR=50V |
90 |
|
6500 |
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微分 |
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IGT |
ゲートトリガ電流 |
VA= 12V、 IA= 1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
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Vgt |
ゲートトリガ電圧 |
0.8 |
|
3.0 |
V |
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わかった H |
ホールディング電流 |
25 |
|
200 |
mA |
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VGD |
非トリガゲート電圧 |
VDM=67%VDRM |
90 |
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0.3 |
V |
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Rth(j-c) |
熱抵抗 接合からケースまで |
両面冷却 クランプ力 120kN |
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0.004 |
。C /W |
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Rth(c-h) |
熱抵抗 ケースから 熱シンク |
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0.001 |
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