GD600HFX170C6S,IGBTモジュール,STARPOWER

シンボル

商品説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1700

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

こ C

収集家 現在の @ T C =25主 C

@ T C = 100主 C

1069

600

A

こ Cm

パルス 収集家 現在の t p =1ms

1200

A

P D

最大の 電力 散熱 @ T j =175主 C

4166

W

シンボル

商品説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1700

V

こ F

ダイオード 連続前流

600

A

こ Fm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1200

A

シンボル

商品説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度 温度

175

主 C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40 に +150

主 C

T STG

保管温度範囲

-40 に +125

主 C

V ISO

分離 圧力は RMS f=50 について Hz ポイントは ほんの少し

4000

V

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V CE (衛星 )

収集機から発信機へ

飽和電圧

こ C =600A V 遺伝子組み換え =15V T j =25主 C

1.85

2.20

V

こ C =600A V 遺伝子組み換え =15V T j =125主 C

2.25

こ C =600A V 遺伝子組み換え =15V T j =150主 C

2.35

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

こ C = 12.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え ,T j =25主 C

5.6

6.2

6.8

V

こ CES

収集器の切断

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25主 C

5.0

mA

こ 総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V

T j =25主 C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗

1.1

ω

C ies

入力容量

V CE =25V,f=1 MHz ,

V 遺伝子組み換え =0V

72.3

ロープ

C res

逆転移転

容量

1.75

ロープ

Q G

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =- 15...+15V

5.66

微分

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V こ C =600A バー G = 1.0Ω, V 遺伝子組み換え =±15V T j =25主 C

160

nS

t バー

昇る時間

67

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

527

nS

t f

秋の時間

138

nS

E を

オン スイッチング

損失

154

mJ

E オフ

切断する

損失

132

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V こ C =600A バー G = 1.0Ω, V 遺伝子組み換え =±15V T j = 125主 C

168

nS

t バー

昇る時間

80

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

585

nS

t f

秋の時間

168

nS

E を

オン スイッチング

損失

236

mJ

E オフ

切断する

損失

189

mJ

t d (を )

オンする遅延時間

V CC =900V こ C =600A バー G = 1.0Ω, V 遺伝子組み換え =±15V T j = 150主 C

192

nS

t バー

昇る時間

80

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

624

nS

t f

秋の時間

198

nS

E を

オン スイッチング

損失

259

mJ

E オフ

切断する

損失

195

mJ

こ SC

SC データ

t P ≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T j =150主 C ,V CC = 1000V, V 単数 ≤1700V

2400

A

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

ユニット

V F

ダイオード 前向き

圧力は

こ F =600A V 遺伝子組み換え =0V T j =25主 C

1.80

2.25

V

こ F =600A V 遺伝子組み換え =0V T j = 125主 C

1.90

こ F =600A V 遺伝子組み換え =0V T j = 150主 C

1.95

Q バー

回収された電荷

V バー =900V こ F =600A

-ディ /dt =6700A/μs, V 遺伝子組み換え =- 15V T j =25主 C

153

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

592

A

E レス

逆転回復 エネルギー

76.5

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V こ F =600A

-ディ /dt =6700A/μs, V 遺伝子組み換え =- 15V T j =125主 C

275

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

673

A

E レス

逆転回復 エネルギー

150

mJ

Q バー

回収された電荷

V バー =900V こ F =600A

-ディ /dt =6700A/μs, V 遺伝子組み換え =- 15V T j =150主 C

299

微分

こ ロープ

ピーク逆

回復電流

690

A

E レス

逆転回復 エネルギー

173

mJ

シンボル

パラメータ

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C = 100 主 C ロープ 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B- 価値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2-

半角形から

3375

K

B 25/80

B- 価値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2-

半角形から

3411

K

B 25/100

B- 価値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2-

半角形から

3433

K

シンボル

パラメータ

分。

タイプする

マックス。

単位

L CE

流れる誘導力

20

nH

バー CC ’+ロープ ’

モジュール鉛抵抗,ターミナル チップに

1.10

mΩ

バー thJC

接合 -に -事例 (平均 IGBT )

接合 -に -事例 (平均 ダイオード )

0.036

0.073

総量

バー thCH

事例 -に -熱シンク (平均 IGBT )

事例 -に -熱シンク (平均 ダイオード )

ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと)

0.027

0.055

0.009

総量

M

端末接続トーク ネジ M6 マウント 扭力 , ネジ M 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M<br>

G

重量（ モジュール

350

g