GD150HFU120C2SD,IGBT モジュール,STARPOWER

シンボル

説明

価値

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C@ T C=85o C

241

150

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

300

A

PD

最大電源 消耗 @ T vj =150o C

1262

W

シンボル

説明

価値

単位

V RRM

繰り返しのピーク リバース・ボルト 年齢

1200

V

IF

ダイオード 連続前向きCu rrent

150

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

300

A

シンボル

説明

価値

単位

T vjmax

交差点最大温度

150

o C

T バイト

交差点の動作温度

-40から+125

o C

T STG

保管温度範囲

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧 RMS,f=50Hz,t =1分

2500

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ 飽和電圧

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V 遺伝子組み換え =15V T vj =125o C

3.60

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 圧力は

IC=3.0mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

収集家 切断 —オフ 現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V T vj =25o C

5.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T vj =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

1.50

ω

Cies

入力容量

V CE =30V,f=1MHz, V 遺伝子組み換え =0V

19.2

ロープ

Cres

逆転移転 容量

0.60

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15...+15V

1.83

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A, バー G=6.8Ω,Ls=48nH, V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =25o C

74

nS

t バー

昇る時間

92

nS

t 消して

切断する 遅延時間

401

nS

t f

秋の時間

31

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

19.0

mJ

Eオフ

切断する 損失

3.09

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=150A, バー G=6.8Ω, Ls=48nH, V 遺伝子組み換え =±15V,T vj =125o C

61

nS

t バー

昇る時間

95

nS

t 消して

切断する 遅延時間

444

nS

t f

秋の時間

47

nS

Eオン

オン スイッチング 損失

22.5

mJ

Eオフ

切断する 損失

3.99

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs V 遺伝子組み換え =15V

T vj =125o C,V CC =800V V 単数 ≤1200V

975

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き 圧力は

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V 遺伝子組み換え =0V,T vj =125o C

1.90

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di／dt=1480A／μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48nH ,T vj =25o C

13.7

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

91

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

4.01

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =150A,

-di／dt=1560A／μs,V 遺伝子組み換え =15V LS =48nH ,T vj =125o C

22.1

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

111

A

Eレス

逆転回復 エネルギー

6.65

mJ

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

30

nH

バー CC+EE

モジュール鉛抵抗 ターミナルからチップへ

0.35

mΩ

バー thJC

接合 —～ —ケース (perIGBT ) ケースへの接点 (DIあたり) オーデ)

0.099 0.259

総量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT) ケースからヒートシンク (pe) ダイオード) ケースからヒートシンク (Mあたり) 臭い)

0.028 0.072 0.010

総量

M

端末接続トーク スクロール M5 固定トーク 六角ボルトM6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

300

g