概要
IGBT モジュール sTARPOWERによって製造されました。1200V 600A。
特長
典型的な 用途
絶対値 最大の レーティング T C=25o C しない限り 違うなら 記載
IGBT
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
V CES |
集合器-放出器の電圧 |
1200 |
V |
V 総エネルギー |
ゲート・エミッター・ボルト |
±20 |
V |
IC |
コレクタ電流 @ T C=25o C @ T C=100o C |
480 300 |
A |
ICm |
パルスコレクター電流 t p =1ms |
600 |
A |
PD |
最大電源 消耗 @ T j =175o C |
1613 |
W |
ダイオード
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
V RRM |
繰り返しのピーク逆電圧 |
1200 |
V |
IF |
ダイオード 連続前向き 賃貸 |
300 |
A |
IFm |
ダイオード最大順方向電流 t p =1ms |
600 |
A |
モジュール
シンボル |
説明 |
価値 |
単位 |
T jmax |
交差点最大温度 |
175 |
o C |
T ショウジョウ |
交差点の動作温度 |
-40から+150 |
o C |
T STG |
保管温度 航続距離 |
-40から+125 |
o C |
V ISO |
絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分 |
4000 |
V |
IGBT 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
|
衛星の VCE (衛星) |
収集機から発信機へ 飽和電圧 |
IC=300A,VGE=15V, Tj=25oC |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC=300A,VGE=15V, Tj=125oC |
|
1.95 |
|
|||
IC=300A,VGE=15V, Tj=150oC |
|
2.00 |
|
|||
総額は |
ゲート-エミッタ閾値電圧 |
IC=7.50mA,VCE=VGE, Tj=25oC |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
ICES |
収集器の切断 現在の |
VCE=VCES,VGE=0V Tj=25°C |
|
|
1.0 |
mA |
ゲノム |
ゲート-エミッタリーク電流 |
VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC |
|
|
400 |
nA |
RGint について |
内部ゲート抵抗 |
|
|
2.5 |
|
ω |
サイエス |
入力容量 |
VCE=25V,f=1Mhz, VGE=0V |
|
31.1 |
|
ロープ |
クレス |
逆転移転 容量 |
|
0.87 |
|
ロープ |
|
司令部 |
ゲートチャージ |
VGE=- 15…+15V |
|
2.33 |
|
微分 |
オン (オン) |
オンする遅延時間 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC |
|
182 |
|
nS |
tr |
昇る時間 |
|
54 |
|
nS |
|
消して |
オフ遅延時間 |
|
464 |
|
nS |
|
tF |
秋の時間 |
|
72 |
|
nS |
|
エオン |
オン 切り替え 損失 |
|
10.6 |
|
mJ |
|
オーフ |
切断する 損失 |
|
25.8 |
|
mJ |
|
オン (オン) |
オンする遅延時間 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC |
|
193 |
|
nS |
tr |
昇る時間 |
|
54 |
|
nS |
|
消して |
オフ遅延時間 |
|
577 |
|
nS |
|
tF |
秋の時間 |
|
113 |
|
nS |
|
エオン |
オン 切り替え 損失 |
|
16.8 |
|
mJ |
|
オーフ |
切断する 損失 |
|
38.6 |
|
mJ |
|
オン (オン) |
オンする遅延時間 |
VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC |
|
203 |
|
nS |
tr |
昇る時間 |
|
54 |
|
nS |
|
消して |
オフ遅延時間 |
|
618 |
|
nS |
|
tF |
秋の時間 |
|
124 |
|
nS |
|
エオン |
オン 切り替え 損失 |
|
18.5 |
|
mJ |
|
オーフ |
切断する 損失 |
|
43.3 |
|
mJ |
|
|
短絡電流 |
SC データ |
試験用電池の電源が電源の電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が電源を供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源が供給する電源 Tj=150oC,VCC=900V, VCEM≤1200V |
|
1200 |
|
A |
ダイオード 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
試験条件 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
|
VF について |
ダイオード 前向き 電圧 |
IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC |
|
1.65 |
2.10 |
V |
IF=300A,VGE=0V,Tj= 125oC |
|
1.65 |
|
|||
IF=300A,VGE=0V,Tj= 150oC |
|
1.65 |
|
|||
Qr |
回収された電荷 |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj=25oC |
|
29 |
|
微分 |
IRM |
ピーク逆 回復電流 |
|
318 |
|
A |
|
エレック |
逆再生エネルギー |
|
18.1 |
|
mJ |
|
Qr |
回収された電荷 |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 125oC |
|
55 |
|
微分 |
IRM |
ピーク逆 回復電流 |
|
371 |
|
A |
|
エレック |
逆再生エネルギー |
|
28.0 |
|
mJ |
|
Qr |
回収された電荷 |
VCC=600V,IF=300A, -di/dt=6050A/μs,VGE=- 15V, Tj= 150oC |
|
64 |
|
微分 |
IRM |
ピーク逆 回復電流 |
|
390 |
|
A |
|
エレック |
逆再生エネルギー |
|
32.8 |
|
mJ |
モジュール 特徴 T C=25o C しない限り 違うなら 記載
シンボル |
仕様 |
分。 |
タイプする |
マックス。 |
単位 |
LCE |
流れる誘導力 |
|
|
20 |
nH |
RCC+EE |
モジュールリード抵抗,端末からチップ |
|
0.35 |
|
mΩ |
RthJC |
接続・ケース (IGBTごとに) ケースへの接点 (ダイオードごとに) |
|
|
0.093 0.155 |
総量 |
|
RthCH |
ケースからヒートシンクへ (IGBTごと) ケースからヒートシンクへの接続 (ダイオードごと) ケースからヒートシンクへの接続 (モジュールごと) |
|
0.016 0.027 0.010 |
|
総量 |
分 |
端子接続トルク, スクリュー M6 取り付けトルク, スクリュー M6 |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.M<br> |
G |
モジュールの重量 |
|
300 |
|
g |
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