私 T(AV) |
1200A |
V DRM |
2000V~ 3000V |
V RRM |
1000V~ 2500V |
t q |
20~75µs |
主な特徴
典型的な用途
|
シンボル |
特長 |
試験条件 |
T j (℃) |
価値 |
単位 |
||||
分 |
種類 |
最大 |
|||||||
私 T (エーブイ ) |
平均オン状態電流 |
180。半正弦波 50Hz 両面冷却 |
T C=55℃ |
125 |
|
|
1200 |
A |
|
T C=70℃ |
125 |
|
|
1000 |
A |
||||
V DRM |
繰り返す ピークオフ状態電圧 |
tp=10ms |
125 |
2000 |
|
3000 |
V |
||
V RRM |
繰り返す ピーク逆電圧 |
1000 |
|
2500 |
|||||
私 DRM /IRRM |
繰り返す ピーク電流 |
vで DRM /VRRM |
125 |
|
|
80 |
mA |
||
私 ターミナル・マスク |
サージオン状態電流 |
10ms 半正弦波 波 V バー =0.6V RRM |
125 |
|
|
16 |
kA |
||
私 2t |
私 2t 対応車種 融合 調整 |
|
|
1280 |
103A2秒 |
||||
V ～ |
限界電圧 |
|
125 |
|
|
1.55 |
V |
||
バー T |
オン状態スロープ抵抗 |
|
|
0.40 |
mΩ |
||||
|
V ティム |
ピークオン状態電圧 |
私 ティム =3000A、 F=24kN |
20≤tq ≤35 |
25 |
|
|
2.80 |
V |
|
36≤tq ≤60 |
|
|
2.60 |
V |
|||||
61≤tq ≤75 |
|
|
2.40 |
V |
|||||
dv/dt |
臨界上昇率 オフ状態の 電圧 |
V DM =0.67V DRM |
125 |
|
|
1000 |
V/μs |
||
di/dt |
臨界上昇率 臨界上昇率 現在の （非反復） |
V DM = 67% V DRM ～ 1600A, ゲートパルスt バー ≤0.5μs 私 GM =1.5A |
125 |
|
|
1500 |
A/μs |
||
Qロープ |
リカバリーチャージ |
私 ティム =1000A ,tp=4000µs, di/ dt=-20A/µs、 V バー =100V |
125 |
|
750 |
|
µC |
||
tq |
回路コミュテーションターンオフ時間 |
私 ティム =1000A ,tp=4000µs, V バー =100V dv/dt=30V/µs ,di/dt=-20A/µs |
100 |
20 |
|
75 |
µs |
||
私 総額 |
ゲートトリガ電流 |
V A=12V、 私 A=1A |
25 |
40 |
|
300 |
mA |
||
V 総額 |
ゲートトリガ電圧 |
0.9 |
|
3.0 |
V |
||||
私 時 |
ホールディング電流 |
20 |
|
500 |
mA |
||||
私 L |
ラッチ電流 |
|
|
500 |
mA |
||||
V GD |
非トリガゲート電圧 |
V DM =67%V DRM |
125 |
|
|
0.3 |
V |
||
バー th(j-c) |
熱的 耐性 接合からケースまで |
両面 冷却 クランプ力 24kN |
|
|
|
0.020 |
℃ /W |
||
バー th(c-h) |
熱的 耐性 ケースから ヒートシンク |
|
|
|
0.005 |
||||
F 分 |
取り付け力 |
|
|
19 |
|
26 |
kN |
||
T vj |
接合温度 |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
||
T sTG |
保存温度 |
|
|
-40 |
|
140 |
℃ |
||
W t |
重量 |
|
|
|
440 |
|
g |
||
概要 |
KT50cT |
||||||||
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