GD900HFX120P1SA、IGBTモジュール、STARPOWER

シンボル

説明

バリュー

単位

V CES

集合器-放出器の電圧

1200

V

V 総エネルギー

ゲート・エミッター・ボルト

±20

V

IC

コレクタ電流 @ T C=25o C

@ T C= 100o C

1522

900

A

ICm

パルスコレクター電流 t p =1ms

1800

A

PD

最大電源 消耗 @ T j =175o C

5.24

kW

シンボル

説明

バリュー

単位

V RRM

繰り返しのピーク逆電圧

1200

V

IF

ダイオード 連続前向き 賃貸

900

A

IFm

ダイオード最大順方向電流 t p =1ms

1800

A

シンボル

説明

価値

単位

T jmax

交差点最大温度

175

o C

T ショウジョウ

交差点の動作温度

-40から+150

o C

T STG

保管温度 航続距離

-40から+125

o C

V ISO

絶縁電圧RMS,f=50Hz,t=1 分

4000

V

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V 衛星

収集機から発信機へ

飽和電圧

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

1.70

2.15

V

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =125o C

1.95

IC=900A,V 遺伝子組み換え =15V T j =150o C

2.00

V 遺伝子組み換え (th)

ゲート発信者の限界値 電圧

IC=22.5mA ,V CE =V 遺伝子組み換え , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

収集家 切断 —オフ

現在の

V CE =V CES ,V 遺伝子組み換え =0V

T j =25o C

1.0

mA

I総エネルギー

ゲート発射器の漏れ 現在の

V 遺伝子組み換え =V 総エネルギー ,V CE =0V T j =25o C

400

nA

バー ゲント

内部ゲート抵抗 アンス

0.63

ω

Cies

入力容量

V CE 電気回路が1Mhzで

V 遺伝子組み換え =0V

93.2

ロープ

Cres

逆転移転

容量

2.61

ロープ

QG

ゲートチャージ

V 遺伝子組み換え =-15 ﹍+15V

6.99

微分

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー G=1.6Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V T j =25o C

214

nS

t バー

昇る時間

150

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

721

nS

t f

秋の時間

206

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

76

mJ

Eオフ

切断する

損失

128

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー G=1.6Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V T j =125o C

235

nS

t バー

昇る時間

161

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

824

nS

t f

秋の時間

412

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

107

mJ

Eオフ

切断する

損失

165

mJ

t d (オン )

オンする遅延時間

V CC =600V,I C=900A, バー G=1.6Ω,

V 遺伝子組み換え =±15V T j =150o C

235

nS

t バー

昇る時間

161

nS

t d (オフ )

切断する 遅延時間

876

nS

t f

秋の時間

464

nS

Eオン

オン スイッチング

損失

112

mJ

Eオフ

切断する

損失

180

mJ

ISC

SC データ

t P≤10μs,V 遺伝子組み換え =15V

T j =150o C,V CC =900V V 単数 ≤1200V

3600

A

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

V F

ダイオード 前向き

電圧

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j =25o C

1.90

2.25

V

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 125o C

1.85

IF =900A,V 遺伝子組み換え =0V,T j = 150o C

1.80

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j =25o C

86

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

475

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

36.1

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 125o C

143

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

618

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

71.3

mJ

Qバー

回収された電荷

V バー =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V 遺伝子組み換え =15V T j = 150o C

185

微分

Iロープ

ピーク逆

回復電流

665

A

Eレス

逆転回復 エネルギー容量

75.1

mJ

シンボル

仕様

試験条件

分。

タイプする

マックス。

単位

バー 25

定数抵抗

5.0

kΩ

δR/R

偏差 の バー 100

T C= 100 o C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P25

電力

散熱

20.0

mW

B 25/50

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/501/T 2—

半角形から

3375

K

B 25/80

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/801/T 2—

半角形から

3411

K

B 25/100

B値

バー 2=R 25経験 [B 25/1001/T 2—

半角形から

3433

K

シンボル

仕様

分。

タイプする

マックス。

単位

LCE

流れる誘導力

18

nH

バー CC+EE

モジュールリード抵抗,端末からチップ

0.30

mΩ

バー thJC

ケース対ケース (IGBごとに) T) について

交差点 (Dあたり) ヨード)

28.6

51.9

電力量

バー thCH

ケースからヒートシンクへの（per IGBT)

ケースからヒートシンクへの（p er ダイオード）

ケースからヒートシンクへの（per モジュール)

14.0

25.3

4.5

電力量

分

端末接続トーク スクロールM4 端子接続 トルク、 スクロール M8 固定トーク スクロール M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M<br>

G

重量 の モジュール

825

g