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IGBTモジュール,1200V 800A
特徴
典型的なほら申請
絶対最大格付けtc について=25°Cほら違う場合を除いてテッド
ほら
シンボル | 記述 | GD800HFL120C3S | 単位 |
v についてCES | 集合器-放出器の電圧 | 1200 | v について |
v について総エネルギー | ゲート・エミッター・ボルト | ±20 | v について |
i についてc について | @ Tc について=25°C @ Tc について=80 について°C | 1250 | a について |
800 | |||
i についてCM (CM) (1) | パルスコレクター電流 tp= 違うほら1ミリ秒 | 1600 | a について |
i についてf について | ダイオード 連続前流 | 800 | a について |
i についてfm | ダイオード最大順方向電流 | 1600 | a について |
pd | 最大電源 消耗tj について=150 について°C | 4310 | ワ |
tスコ | 短回路 耐える時間 @ Tj について=125 について°C | 10 | μs |
tj について | 交差点の動作温度 | -40からほら+150 | °C |
tSTG | 貯蔵温度範囲 | -40からほら+125 | °C |
i について2ダイオード | v についてr=0V,t=10ms,Tj について=125 について°C | 140 | カ2s |
v についてサイロ | 隔離電圧 RMS,f=50Hz,t=1分 | 2500 | v について |
設置 トーク | 電力端末ほらスクリュー:M4 電力端末ほらスクリュー:M8 | 年間ほら2.3 平均値ほら10 | ラング |
設置ほらスクリュー:M6 | 4.25からほら5.75 | ラング |
ほら
電気特性ほらゲンtc について=25°Cほら違いますと
特徴から外れている
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
バイほらCES | 収集-発信 断定電圧 | tj について=25°C | 1200 | ほら | ほら | v について |
i についてCES | 収集家ほら切る- わかったオフほら流動 | v についてザ=VCESバイト遺伝子組み換え=0Vほらtj について=25°C | ほら | ほら | 5.0 | ママ |
i について総エネルギー | ゲート発射器の漏れ 流動 | v について遺伝子組み換え=V総エネルギーバイトザ=0Vほらtj について=25°C | ほら | ほら | 400 | ほら |
特徴について
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
v について総額 | ゲート発信者の限界値 圧力は | i についてc について=32mA,Vザ=V遺伝子組み換えほらほらtj について=25°C | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v について |
ほら ほら v について衛星 | ほら 収集機から発信機へ 飽和電圧 | i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=25°C | ほら | 1.8 | ほら | ほら ほら v について |
i についてc について=800A,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°C | ほら | 2.0 | ほら |
変形する化学
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 |
q遺伝子組み換え | ゲートチャージ | i についてc について=800A,Vザ=600V v について遺伝子組み換え=-15...+15V | ほら | 11.5 | ほら | 微分 |
tオンに | オンする遅延時間 | v についてcc=600V,Ic について=800A rゲン=3.3Ω rゲッフ=0.39Ω, v について遺伝子組み換えほら=± について15V,Tj について=25°C | ほら | 600 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 230 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 820 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 150 | ほら | NS | |
tオンに | オンする遅延時間 | ほら v についてcc=600V,Ic について=800A rゲン=3.3Ω rゲッフ=0.39Ω, v について遺伝子組み換えほら=± について15V,Tj について=125 について°C | ほら | 660 | ほら | NS |
tr | 昇る時間 | ほら | 220 | ほら | NS | |
td( ありがとうございました)オフ) について | 切断するほら遅延時間 | ほら | 960 | ほら | NS | |
tf について | 秋の時間 | ほら | 180 | ほら | NS | |
e についてについて | オンほら切り替え損失 | ほら | 160 | ほら | ロープ | |
e についてオフ | 切断切換損失 | ほら | 125 | ほら | ロープ | |
c についてほら | 入力容量 | ほら v についてザ電気回路が1Mhzで v について遺伝子組み換え=0V | ほら | 61.8 | ほら | ロープ |
c についてオーエス | 輸出容量 | ほら | 4.2 | ほら | ロープ | |
c についてレス | 逆転移転 容量 | ほら | 2.7 | ほら | ロープ | |
ほら i についてスコ | ほら SC データ | tsc について≤10μs,V遺伝子組み換え=15Vほらtj について=125 について°Cほら v についてcc=900Vほらv について単数ほら≤1200V | ほら | ほら 3760 | ほら | ほら a について |
わかったザ | 流れる誘導力 | ほら | ほら | 20 | ほら | ほら |
rcc+ロープ’ | モジュール鉛抵抗薬剤剤剤ほらターミナルからチップへ | tc について=25°C | ほら | 0.18 | ほら | ロープオー |
ほら
電気ほら特徴ほらについてほらダイオードほらtc について=25°Cほらしない限りほら違うならほら確認
ほら
シンボル | パラメーター | 試験条件 | ポイント | タイプする | オーケー | 単位 | |
v についてf について | ダイオード 前向き 圧力は | i についてf について=800A | tj について=25°C | ほら | 2.4 | ほら | v について |
tj について=125 について°C | ほら | 2.2 | ほら | ||||
qr | 逆ダイオード リカバリーチャージ | ほら ほら i についてf について=800A v についてr=600V di/dt=-3600A/μs,ほらv について遺伝子組み換え=15V | tj について=25°C | ほら | 37 | ほら | 微分 |
tj について=125 について°C | ほら | 90 | ほら | ||||
ほら i についてロープ | ダイオードピーク 逆転回復ほら流動 | tj について=25°C | ほら | 260 | ほら | ほら a について | |
tj について=125 について°C | ほら | 400 | ほら | ||||
e についてレス | 逆転回復ほらエネルギー | tj について=25°C | ほら | 9 | ほら | ロープ | |
tj について=125 について°C | ほら | 24 | ほら |
ほら
熱特性
ほら
シンボル | パラメーター | タイプする | オーケー | 単位 |
rθJC | 接合部からケースまで (IGBT部、あたりほら半モジュール) | ほら | 0.029 | 総量 |
rθJC | 接合部からケースまで (ダイオード部、あたりほら半モジュール) | ほら | 0.052 | 総量 |
rθCS | ケースからシンク (電導性脂肪が適用され, モジュール) | 0.006 | ほら | 総量 |
体重 | 重さほら模組 | 1500 | ほら | g |
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